发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，包含一第一半导体层以及一半导体台面位于第一半导体层上，其中第一半导体层包含一第一侧壁以及一第一半导体层第一表面环绕半导体台面，且半导体台面包含一第二侧壁；一第一反射结构，包含一第一反射部分覆盖第一侧壁以及一第二反射部分覆盖第二侧壁，其中第一反射部分与第二反射部分于发光元件的一俯视图下相连并构成一第一反射结构外侧开口以露出第一半导体层第一表面；一第一延伸电极，覆盖第一反射结构，并通过第一反射结构外侧开口接触第一半导体层第一表面；以及一第二反射结构，覆盖第一延伸电极并接触第一反射结构的第一反射部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件，且特别是涉及一种包含多个电极接触区的倒装式发光元件。

技术介绍

1、发光二极管(light-emitting diode,led)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。

技术实现思路

1、一发光元件，包含一第一半导体层以及一半导体台面位于第一半导体层上，其中第一半导体层包含一第一侧壁以及一第一半导体层第一表面环绕半导体台面，且半导体台面包含一第二侧壁；一第一反射结构，包含一第一反射部分覆盖第一侧壁以及一第二反射部分覆盖第二侧壁，其中第一反射部分与第二反射部分于发光元件的一俯视图下是相连并构成一第一反射结构外侧开口以露出第一半导体层第一表面；一金属反射层，包含一边缘位于半导体台面之上，并且为第一反射结构所覆盖；一第一延伸电极，覆盖第一反射结构，并通过第一反射结构外侧开口接触第一半导体层第一表面；以及一第二反射结构，覆盖第一延伸电极并本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光元件，包含：

2.如权利要求1所述的发光元件，其中位于该第一侧壁上的该第二反射结构包含第二反射结构第二厚度大致与该第一反射结构厚度相同。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中第二反射结构第二厚度小于该第二反射结构第一厚度。

4.如权利要求1所述的发光元件，包含绝缘层位于该第一反射结构下方，且该绝缘层具有绝缘层厚度大于该第一反射结构所包含的各子层的厚度。

5.如权利要求1所述的发光元件，包含通孔露出该第一半导体层的第一半导体层第二表面，其中该第一反射结构包含第三反射部分以及第四反射部分覆盖该第一半导体层第二表面，该第一延伸电极包含...

【技术特征摘要】

1.一种发光元件，包含：

2.如权利要求1所述的发光元件，其中位于该第一侧壁上的该第二反射结构包含第二反射结构第二厚度大致与该第一反射结构厚度相同。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中第二反射结构第二厚度小于该第二反射结构第一厚度。

4.如权利要求1所述的发光元件，包含绝缘层位于该第一反射结构下方，且该绝缘层具有绝缘层厚度大于该第一反射结构所包含的各子层的厚度。

5.如权利要求1所述的发光元件，包含通孔露出该第一半导体层的第一半导体层第二表面，其中该第一反射结构包含第三反射部分以及第四反射部分覆盖该第一半导体层第二表面，该第一延伸电极包含第三区位于该第一反射结构及该第二反射结构之间以及第四区直接接触该第一半导体层第二表面，且该第三区包含第一延伸电极第三宽度大于该第四区包含的第一延伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓亨颖，陈咏扬，林昱伶，曹玮辰，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：