具有与多个波长对准的多个有源区的多结光发射器制造技术

在一些实施方式中，光发射器包括：一组发光结；以及一组隧道结，其将所述一组发光结分开，其中所述一组发光结中的第一发光结与第一波长下的峰值增益相关联，并且其中所述一组发光结中的第二发光结与不同于所述第一波长的第二波长下的峰值增益相关联。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及光发射器和具有与多个波长对准的多个有源区的多结光发射器(multi-junction optical emitter)。

技术介绍

1、除了其他示例之外，诸如顶部发射垂直腔表面发射激光器(vcsel)、底部发射vcsel或边缘发射器的光发射器可以具有一组发光结(light emitting junction)。例如，vcsel可以包括设置在vcsel的顶部分布式布拉格反射器(dbr)和底部dbr之间的一对发光结。每个发光结可以被配置用于相同的波长范围，以在该波长范围处实现比由单个发光结实现的更大的光学输出。

技术实现思路

1、在一些实施方式中，光发射器包括：一组发光结；以及一组隧道结，其将所述一组发光结分开，其中所述一组发光结中的第一发光结与第一波长下的峰值增益相关联，并且其中所述一组发光结中的第二发光结与不同于所述第一波长的第二波长下的峰值增益相关联。

2、在一些实施方式中，垂直腔表面发射激光器(vcsel)包括：一组有源区，其中，所述一组有源区中的两个或更多个有源区与不同的峰值本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光发射器，包括：

2.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述光发射器是多结垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。

3.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述一组隧道结中的每个隧道结被所述一组发光结中的一对发光结夹在中间。

4.根据权利要求1所述的光发射器，其中所述一组发光结中的相邻发光结之间的一组半导体层的厚度使所述相邻发光结的量子阱能态解耦。

5.根据权利要求4所述的光发射器，其中，所述一组半导体层包括所述一组隧道结中的隧道结。

6.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述第一波长和所述第二波长偏移，使得从下限波长到...

【技术特征摘要】

1.一种光发射器，包括：

2.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述光发射器是多结垂直腔表面发射激光器(vcsel)。

3.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述一组隧道结中的每个隧道结被所述一组发光结中的一对发光结夹在中间。

4.根据权利要求1所述的光发射器，其中所述一组发光结中的相邻发光结之间的一组半导体层的厚度使所述相邻发光结的量子阱能态解耦。

5.根据权利要求4所述的光发射器，其中，所述一组半导体层包括所述一组隧道结中的隧道结。

6.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述第一波长和所述第二波长偏移，使得从下限波长到上限波长，来自所述光发射器的增益高于激光发射阈值。

7.根据权利要求6所述的光发射器，其中，由所述下限波长和所述上限波长界定的波长区的尺寸大于仅与所述第一发光结相关联或仅与所述第二发光结相关联的波长区的尺寸。

8.根据权利要求1所述的光发射器，其中，所述一组发光结包括在三个或更多个波长下具有峰值增益的三个或更多个发光结。

9.一种垂直腔表面发射激光器(vcsel)，包括：

10.根据权利要求9所述的vcsel，其中，所述波长范围是从5纳米至20纳米的范围。

11....

【专利技术属性】
技术研发人员：M·G·彼得斯，杨军，赵国为，
申请(专利权)人：朗美通经营有限责任公司，
类型：发明
国别省市：