【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及半导体器件，并且更具体地涉及适用于能够使用被电感耦合的成对的电感器在不同的电位之间传输信号的半导体器件的技术。
2、下面列出了一种公开的技术。
3、[专利文献1]日本未审查专利申请公布第2011-82212号
4、专利文献1公开了一种技术，该技术能够在不妨碍小型化的情况下增大线圈的横截面积，以减少占据构造变压器的线圈的大部分寄生电阻分量的串联电阻。
技术实现思路
1、例如，已知使用被电感耦合的成对的电感器来实现非接触信号传输的变压器(数字隔离器)。由于该变压器允许在非接触状态下进行信号传输，因此能够抑制来自一个电路的电噪声对另一电路产生不利影响。此外，在如上所述配置的变压器中，提高击穿电压，以便能够在具有彼此不同的电位的电路之间进行非接触信号传输。
2、在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第一布线，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有第一电位；上电感器，被形成在多层布线层上并且被配置为被施加有不同于第一电位的第二电位；无机绝缘膜，被形成在多层布线层、第一布线和上电感器上；以及有机绝缘膜，被形成在无机绝缘膜上并且被设置为覆盖平面图中位于第一布线与上电感器之间的无机绝缘膜。这里，在第一布线与上电感器之间，暴露无机绝缘膜的上表面的一部分的开口部被形成在有机绝缘膜中。
3、在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；多层布线层，被形成在半导体衬底上；第
4、一个实施例能够提高半导体器件的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
10.一种半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，
12.根据权利要求10所述的半导体器件，
13.根据权利要求12所述的半导体器件，
14.根据权利要求11所述的半导体器件，
15.根据权利要求11所述的半导体器件，
16.根据权利要求15所述的半导体器件，
17.一种半导体器件，包括：
18.一种半导体器件，包括：
19.根据权利要求18所述的半导体器件，
20.根据权利要求18所述的半导体器件，p>...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
10.一种半导体器件，包括：
11.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚孝行，中柴康隆，笠冈龙雄，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。