【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件，并且能够例如被适用于具有电熔丝部的半导体器件。
技术介绍
1、以下列出了一种已公开的技术。
2、[专利文献1]日本未审查专利申请公布第2011-222691号
3、通过电流熔断的电熔丝是已知的。专利文献1公开了一种用于可靠地切断电熔丝的技术。
技术实现思路
1、在如专利文献1中一样包括多个电熔丝单元的构造中，期望减小多个电熔丝单元被设置的区域的平面占用面积。
2、其他目的和新颖特征将从本说明书的描述以及附图中变得显而易见。
3、根据一个实施例的半导体器件，在半导体衬底上设置有介电膜，并且在介电膜上设置有多个电熔丝部。在半导体衬底中以及在半导体衬底的表面上设置有第一导电类型的第一阱区。第一阱区通过将位于多个电熔丝部中的每个电熔丝部下方的阱区彼此整体地连接来构造。
4、一个实施例的半导体器件能够减小多个电熔丝部被形成的区域的平面占用面积。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
9.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
10.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
11.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
12.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求4所述的半导体器件，
6.根据权利要求5所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：高冈洋道，佐藤启之，藤本裕希，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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