【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路(ic)器件，更具体地，涉及包括背面接触结构的ic器件。
技术介绍
1、由于电子技术的发展，ic器件的小型化进展迅速。由于高度小型化的ic器件不仅需要高操作速度，而且需要高操作精度，所以有必要在相对小的面积内提供包括具有稳定和优化的布置结构的导线的布线结构。
技术实现思路
1、本专利技术构思随着小型化趋势提供了包括布置在减小的面积中的多个布线结构的集成电路(ic)器件。这些ic器件可具有能够通过确保相应布线结构之间的足够绝缘距离来抑制寄生电容的出现的结构，并且具有能够减小被配置为向ic器件的源极/漏极区域供应电力和/或信号的布线的电阻的结构。
2、根据本专利技术构思的一些方面，提供了一种ic器件，包括：鳍型有源区域，其包括在第一横向方向上隔着接触空间彼此分开的第一鳍部分和第二鳍部分，第一鳍部分和第二鳍部分各自在第一横向方向上以直线纵长地延伸；第一源极/漏极区域，其在鳍型有源区域上位于在竖直方向上与接触空间重叠的位置处；在第一鳍部分上的栅极线，该栅极线在...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层包括绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面源极/漏极接触件在所述第一横向方向和所述第二横向方向上的宽度在在所述竖直方向上远离所述第一源极/漏极区域的方向上增加。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述栅极线在所述竖直方向上隔着所述蚀刻停止层与所述第一鳍部分分开。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述第一鳍部分上的至少一个纳米片，...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层包括绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述背面源极/漏极接触件在所述第一横向方向和所述第二横向方向上的宽度在在所述竖直方向上远离所述第一源极/漏极区域的方向上增加。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述栅极线在所述竖直方向上隔着所述蚀刻停止层与所述第一鳍部分分开。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述第一鳍部分上的至少一个纳米片，所述至少一个纳米片与所述第一源极/漏极区域接触，
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一源极/漏极区域具有与所述蚀刻停止层接触的表面。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
9.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：曹健浩，金喜燮，林昇炫，金宝美，赵恩浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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