【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及igbt芯片焊接，尤其涉及一种大功率igbt模块芯片焊接组件及焊接方法。
技术介绍
1、对于一个igbt封装模块，在使用过程中的失效可以从芯片自身引起失效和封装引起的失效两方面进行分析。igbt模块封装引起的缺陷是在制造和组装过程中产生的，当热、机械电气或化学作用导致器件性能不合要求时，可认为器件发生失效。引线键合与焊料层封装结构是igbt模块最易发生失效的部分，所以模块失效主要由两部分承受热应力的能力决定的。
2、目前igbt 模块中的芯片连接材料通常采用传统焊料合金，通过回流过程可以使焊料完全融化从而形成连接。但研究发现不同温度会导致焊料合金产生不同的应力松弛行为。研究发现，随着温度的升高，应力松弛时间显著减小，并且在循环载荷作用下，焊料合金容易出现塑性、蠕变和粘弹性等变形行为。焊料合金在长期的服役过程中也会引起空洞和界面金属间化合物（imc）的生长，一方面，空洞是焊接中普遍存在的问题，芯片焊接层的空洞问题尤其明显，有时可达到5%甚至达到20%，空洞的存在对igbt 模块的热性能产生很大影响，它影响热量从芯...
【技术保护点】
1.一种大功率IGBT模块芯片焊接组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT模块芯片焊接组件，其特征在于，所述第一焊接孔和第二焊接孔的四周内边缘均设置有间隙槽。
3.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT模块芯片焊接组件，其特征在于，所述镀银掩模层采用聚酰亚胺胶带粘贴形成，所述镀银掩模层粘贴在待镀银的DBC板上。
4.根据权利要求1所述的一种大功率IGBT模块芯片焊接组件，其特征在于，所述DBC板固定工装上固定有定位销，所述盖板上固定有定位圈，所述定位圈能够套设在定位销上。
5.一种大功率IGB...
【技术特征摘要】
1.一种大功率igbt模块芯片焊接组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种大功率igbt模块芯片焊接组件，其特征在于，所述第一焊接孔和第二焊接孔的四周内边缘均设置有间隙槽。
3.根据权利要求1所述的一种大功率igbt模块芯片焊接组件，其特征在于，所述镀银掩模层采用聚酰亚胺胶带粘贴形成，所述镀银掩模层粘贴在待镀银的dbc板上。
4.根据权利要求1所述的一种大功率igbt模块芯片焊接组件，其特征在于，所述dbc板固定工装...
【专利技术属性】
技术研发人员：段金炽，
申请(专利权)人：重庆云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。