温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

介电膜IF被设置在半导体衬底SB上，并且多个电熔丝部FU被设置在介电膜IF上。n型第一阱区WL1被设置在半导体衬底SB中以及半导体衬底SB的表面上。第一阱区WL1通过将位于多个电熔丝部FU中的每个电熔丝部FU下方的阱区WLa彼此整体地连接来...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。