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瑞萨电子株式会社专利技术
瑞萨电子株式会社共有2888项专利
半导体装置制造方法及图纸
根据一个的半导体装置包括:初始值设定单元,被配置为提供寄存器的初始值,该寄存器保持作为积和运算电路中的积和运算的结果的累积值;以及初始值取消电路,被配置为取消在由寄存器保持的累积值中含有的初始值并且输出最终输出值,并且初始值设定单元将除...
半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块技术
本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请,可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域,第一区域中形成有MOSFET,第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬...
半导体器件及其制造方法技术
本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。增强了半导体器件的性能。浮置区域覆盖有源单元中的沟槽的底部表面。另外,该浮置区域覆盖无源单元中的沟槽的底部表面以到达该无源单元中的一对沟槽之间的半导体衬底。无源单元中的基极区域与该浮置区域之间...
可重新配置且可调谐的功率放大器制造技术
本公开涉及一种可重新配置且可调谐的功率放大器,描述了用于操作功率放大器的装置、系统和方法。控制器可以利用第一输入偏置电压来驱动功率放大器链,以在实现Doherty放大器的第一操作模式中操作功率放大器链。控制器可以利用第二输入偏置电压来驱...
缓冲设备以及其控制方法技术
通过缓冲设备,第一保持单元保持针对多个分组准则中的每个的写入数目值和读取数目值。分组准则包括作为一个分组参数的数据单元的优先级。第二保持单元保持多个传输命令。多个传输命令对应于多个分组准则中的任何。控制单元基于对应于写入传输命令的分组准...
电子器件的制造方法技术
EMI仿真的准确度被提高。一种电子器件的制造方法是包括衬底和被安装在衬底上的半导体器件的电子器件的制造方法。电子器件的制造方法包括:步骤(a),准备电源模型,该电源模型包括在被包括在电子器件中的电源路径上的阻抗信息;步骤(b),测量在操...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:在第一方向上彼此相邻的第一芯片安装部分和第二芯片安装部分;在第二方向上彼此相邻并且安装在第一芯片安装部分上的第一半导体芯片和第三半导体芯片;以及安装在第二芯片安装部分上的第二半导体芯片。第三半导体具有:用于将信号从第...
低压差稳压器制造技术
本公开的各实施例涉及低压差稳压器。本公开提供了一种用于提供输出电压的低压差稳压器,该低压差稳压器包括电阻器件,被配置为有助于该低压差稳压器在操作期间的稳定性并且具有依赖于负载电流的电阻。
滤波器电路制造技术
一种滤波器电路与被配置为与电负载耦合的系统一起使用,该滤波器电路包括第一滤波器,其中第一滤波器被配置为接收第一电压并且提供输出电压,输出电压是由第一滤波器滤波之后的第一电压,并且滤波器电路被配置为响应于负载瞬变来调节第一滤波器的带宽。
包括偏置电流发生器的设备制造技术
一种设备包括用于生成偏置电流的偏置电流发生器,偏置电流发生器包括相同类型并且串联耦合的两个或更多个负阈值晶体管。
图像处理设备、图像处理方法和信息处理设备技术
减少在每个通道中处理图像时电路面积的增加。提供包括以下的图像处理设备:输入部件,用于输入图像;图像处理部件,包括在第一通道中;图像处理部件,包括在第二通道中;控制部件,将来自第二通道的输出延迟如下时间,该时间对应于第一通道的处理时间和第...
带隙单元制造技术
本公开的各实施例涉及带隙单元。一种自启动带隙单元,用于生成参考电压。
用于ECC故障检测的电路、系统和方法技术方案
一种用于检测纠错码(ECC)解码器的故障操作的检测电路,ECC解码器被配置用于诊断到ECC解码器的输入数据中是否已经发生错误,其中ECC解码器还被配置用于输出错误检测信号和基于输入数据的输出数据,错误检测信号指示错误是否已经被ECC解码...
电子设备和半导体装置制造方法及图纸
电子设备包括:具有多个传输单元的第一半导体装置;具有多个接收单元的第二半导体装置;以及多个布线,多个布线耦合在多个传输单元和多个接收单元之间并且还将数据信号从多个传输单元传输到多个接收单元。此处,多个布线具有:多个第一布线,其各自具有可...
半导体器件及其制造方法技术
一种半导体衬底包括在成对的沟槽之间在Y方向上彼此分离的多个发射极形成区域、以及位于发射极形成区域之间的分离区域。p型基极区域被形成在发射极形成区域和分离区域中的每个区域的半导体衬底中。n型杂质区域被形成在每个发射极形成区域的基极区域中。...
DRAM电路制造技术
降低DRAM电路中的电流消耗。DRAM电路是提供有主输入/输出线对和复位电路的动态随机存取存储器(DRAM)电路。主输入/输出线对的电位被保持在从写入周期的结束到写入周期之后的第一写入周期的开始的时段中,或者从写入周期的结束到写入周期之...
半导体器件制造技术
本公开的各实施例涉及半导体器件。电阻元件由SOI衬底的第一半导体层和形成在该第一半导体层上的第二半导体层组成。该第二半导体层具有彼此间隔开的第一半导体部分和第二半导体部分。该第一半导体层具有其上形成有该第一半导体部分的第一区域、其上形成...
半导体器件制造技术
本公开涉及一种半导体器件,在半导体衬底的p型衬底区域中,形成n型源极区域、n型漏极区域、具有比p型衬底区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型主体区域、具有比p型主体区域的杂质浓度高的杂质浓度的p型主体接触区域、以及具有比n型漏极区域的杂质浓度...
连接控制电路和连接控制方法技术
根据一个实施例的一种连接控制电路包括具有操作状态控制电路的操作模式检测电路。在另一设备未被连接到第一设备的第一状态下,操作状态控制电路将接收器电路设置为操作状态并且将操作模式检测电路设置为停止状态。此外,在另一设备被连接到第一设备的第二...
半导体设备和延迟控制方法技术
本公开涉及半导体设备和延迟控制方法。提供了一种能够提高采样时钟的延迟量的准确性的技术。一种半导体设备包括:用于有线通信的通信设备;能够调整要由通信设备接收或发射的时钟的延迟量的延迟加法器电路;以及控制延迟加法器电路的延迟量的控制电路。通...
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