半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块技术

本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请，可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域，第一区域中形成有MOSFET，第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中，并且基极区域被形成在第二区域的半导体衬底中。源极区域被形成在本体区域中，并且发射极区域被形成在基极区域中。第一列区域被形成在位于本体区域下方的半导体衬底中，并且第二列区域被形成在位于基极区域下方的半导体衬底中。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、本专利技术涉及一种半导体器件、一种制造半导体器件的方法以及一种半导体模块，特别地涉及一种温度传感器晶体管或一种嵌入其中的感测mosfet。

2、在需要高耐受电压的半导体器件中，应用半导体元件，诸如具有沟槽栅极类型的功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)，其中栅极电极嵌入沟槽内部。在这种半导体器件中，可以内置温度传感器晶体管或感测mosfet作为用于过热保护功能的元件。

3、例如，日本专利公开第2009-289791号(专利文献1)公开了一种技术，该技术应用npn双极晶体管作为温度传感器晶体管并且以达林顿(darlington)连接方式连接多个npn双极型晶体管。

技术实现思路

1、当集成功率mosfet和温度传感器晶体管时，从简化制造工艺的角度来看，期望通过与制造功率mosfet的结构的一部分的工艺相同的工艺，来制造温度传感器晶体管的结构的一部分，诸如p型本体区域和n型源极区域。

2、然而，如果功率mosfet的结构响应于市场需求而改变，诸如导通电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有第一区域和第二区域，所述第一区域中形成有MOSFET，所述第二区域中形成有第一温度传感器晶体管，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中

6.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中

7.一种半导体器件，具有第一区域和第二区域，所述第一区域中...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有第一区域和第二区域，所述第一区域中形成有mosfet，所述第二区域中形成有第一温度传感器晶体管，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中

6.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，其中

7.一种半导体器件，具有第一区域和第二区域，所述第一区域中形成有mosfet，所述第二区域中形成有第一温度传感器晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳川洋，中柴康隆，森和久，长谷川浩一，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：