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本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请，可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域，第一区域中形成有MOSFET，第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中...
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