【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开涉及一种半导体器件，并且特别地涉及一种包括例如用于温度测量的二极管的半导体器件。
2、下面列出了所公开的技术。
3、[专利文献1]日本特开第2017-103272号公报
4、专利文献1描述了一种根据现有技术的半导体器件，它具有半导体衬底和用于检测半导体衬底的温度的多晶硅二极管(在下文中也称为温度感测二极管)。半导体衬底具有在芯片的中心部分中的单元区域，其中布置了绝缘栅型功率晶体管(诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等)。环形p阱区被嵌入在半导体衬底的边缘和单元区域之间。多晶硅二极管被布置在环形p阱区中。
技术实现思路
1、在专利文献1中描述的半导体器件中，p阱区被形成在多晶硅二极管的下层中，其中多晶硅二极管是是温度感测二极管。在这种情况下，向p阱区提供源极电势，从而可能抑制温度感测二极管的输出在漏极电压或衬底电压波动的影响下变得不稳定。然而，形成绝缘栅型功率晶体管的过程不一定包括形成p阱区的过程。如果形成绝缘栅型功...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还具有注入所述二极管的所述子结构中的所述沟槽中的每个沟槽的底部部分中的硼。
6.一种半导体器件，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
9.根据权利要求6所述的半导体器件，还具有注入所述二极管的所述子结构中的所述沟槽中的每个沟槽的底部部分中的硼。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求2所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还具有注入所述二极管的所述子结构中的所述沟槽中的每个沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：星野义典，下山浩哉，神原利宗，野村正孝，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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