结终端延伸的终端版图结构及其终端结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口，每一圈注入窗口之间，从横截面看，间隔一定距离；通过注入窗口能够形成从横截面看相互独立的P型轻掺杂区，经过一定时间的高温退火后，P型轻掺杂区相互连接，能够形成从有源区到芯片的边沿区掺杂浓度逐渐降低，结深也逐渐降低的P型轻掺杂区。本实用新型专利技术还公开了三种结终端延伸的终端结构。本实用新型专利技术能够提高终端的耐压性和降低终端设计的复杂性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体功率器件的版图设计方案，特别涉及结终端延伸的终端版图结构及其终端结构。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor，IGBT)是新型的大功率器件，它集MOSFET栅极电压控制特性和双极型晶体管低导通电阻特性于一身，改善了器件耐压和导通电阻相互牵制的情况，具有高电压、大电流、高频率、功率集成密度高、输入阻抗大、导通电阻小、开关损耗低等优点，在变频家电、工业控制、电动及混合动力汽车、新能源、智能电网等诸多领域获得了广泛的应用空间。IGBT终端是围绕器件有源区外围的保护结构，根据工作原理可以分为电场延伸型和电场截断型:电场延伸型，在主结边缘处设置延伸结构，将主结耗尽区向外展宽，降低内部电场强度提高击穿电压，用于平面工艺，如场板(FP)、阻性场板(SIP0S)、场限环(FGR)、结终端延伸(JTE)、横向变掺杂(VLD)、RESURF等；电场截断型:刻蚀深槽，截断曲面结，影响表面电场分布，常用于台面或刻蚀工艺。优良的终端保护结构是功率器件(诸如功率二极管、功率MOS管、IGBT等)实现预定耐压的重要保障。目前广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区(506)，其特征在于，进一步包括：所述有源区(506)内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，所述元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅电极；包围所述有源区(506)外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口(505)，每一圈注入窗口之间，从横截面看，间隔一定距离；通过所述注入窗口能够形成从横截面看相互独立的P型轻掺杂区，经过一定时间的高温退火后，所述P型轻掺杂区相互连接，能够形成从有源区(506)到芯片的边沿区掺杂浓度逐渐降低，结深也逐渐降低的P型轻掺杂区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：褚为利，朱阳军，陆江，卢烁今，田晓丽，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，上海联星电子有限公司，江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11