【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体及其制造领域，尤其涉及一种图形化的衬底及其制备方法。
技术介绍
以GaN(氮化镓)为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性能，成为继锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后制造新一代微电子器件和电路的关键半导体材料。宽禁带半导体材料在制作微波大功率器件、耐高温器件和抗辐照器件方面具有得天独厚的优势，是实现微波与大功率、高温与抗辐射相结合的理想材料，是微电子、电力电子、光电子等高新技术以及国防工业、信息产业、机电产业和能源产业等支柱产业进入21世纪后赖以继续发展的关键基础材料。宽禁带半导体器件的实现，必须首先实现以GaN为代表的外延生长，而外延生长的均匀性对生长的器件性能有着较大的影响。由于每个衬底的内部应力、厚度及厚度均匀性等各不相同，每片衬底在外延生长过程中由于外延层和衬底的热涨系数不同所带来的翘曲的形状和程度各不相同，使得每片衬底的温度场的分布不同，导致外延片上的每个芯片的性能不同。尤其是在朝向大尺寸衬底方向发展的今天，衬底的尺寸越大，衬底在生长...
【技术保护点】
一种图形化衬底，其特征在于：包括衬底和形成于所述衬底上的隔离槽（110），所述隔离槽（110）将衬底表面分割成多个隔离区（120），所述隔离槽（110）沿衬底材料的解理方向设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何洋，董建荣，李奎龙，孙玉润，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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