图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法，其中，所述图形化装置包括：一个或多个喷射单元，所述喷射单元适于沿扫描方向喷射抗刻蚀液体至晶圆表面；一个或多个光照单元，所述光照单元适于沿扫描方向照射晶圆表面的抗刻蚀液体，使得晶圆表面的抗刻蚀液体固化，形成抗刻蚀图形；控制模块，所述控制模块适于控制所述一个或多个喷射单元的运动和喷射状态、以及控制所述一个或多个光照单元的运动和照射状态。本发明专利技术图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法的成本低，产量高。

【技术实现步骤摘要】
图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺的发展过程中，光学光刻一直是半导体图形制备的主流技术。通过光刻设备，将具有不同图形的掩膜在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的晶圆上，进行曝光显影后形成所需图形。但随着半导体技术向更小尺寸发展，光学曝光设备以及高精度掩膜版的成本成为了制约半导体技术发展的重要因素之一。目前，半导体制造过程中，与曝光工艺相关的成本占到了半导体制造总成本的35%～40%。随着晶圆尺寸向450mm迈进，曝光设备的成本将会占到半导体制造总成本的50%～60%。现有技术中提出了多种替代的图形制备技术，例如，多电子束曝光技术和纳米压印技术等。但是多电子束曝光技术受限于电子枪产生电子束的产率和昂贵的设备价格；而纳米压印技术则受限于较高的缺陷密度，其缺陷密度通常是光学曝光方式的50～100倍。因此，需要一种低成本的图形化装置。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是现有技术的图形化装置成本高。为解决上述问题，本专利技术提供了一种图形化装置，所述图形化装置包括：一个或多个喷射单元，所述喷射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形化装置，其特征在于，包括：一个或多个喷射单元，所述喷射单元适于沿扫描方向喷射抗刻蚀液体至晶圆表面；一个或多个光照单元，所述光照单元适于照射晶圆表面的抗刻蚀液体，使得晶圆表面的抗刻蚀液体固化，形成抗刻蚀图形；控制模块，所述控制模块适于控制所述一个或多个喷射单元的运动和喷射状态、以及控制所述一个或多个光照单元的运动和照射状态。

【技术特征摘要】
1.一种图形化装置，其特征在于，包括：多个喷射单元，所述喷射单元适于沿扫描方向喷射抗刻蚀液体至晶圆表面，所述多个喷射单元构成多个喷射组，每个喷射组内的多个喷射单元按行列方式排布，所述列垂直于扫描方向，所述行与扫描方向具有夹角；各个喷射组中，同行不同列的喷射单元之间沿垂直于喷射扫描方向的周期间距各不相同；多个光照单元，所述光照单元适于照射晶圆表面的抗刻蚀液体，使得晶圆表面的抗刻蚀液体固化，形成抗刻蚀图形；控制模块，所述控制模块适于控制所述多个喷射组中的多个喷射单元的运动和喷射状态、以及控制所述多个光照单元的运动和照射状态。2.如权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述喷射单元包括：抗刻蚀液体槽、喷头、压缩单元、第一电极和第二电极，其中，所述抗刻蚀液体槽适于容纳抗刻蚀液体；所述喷头与所述抗刻蚀液体槽连通；所述压缩单元适于压缩所述抗刻蚀液体槽，使得抗刻蚀液体槽中的抗刻蚀液体通过所述喷头喷出；所述第一电极和第二电极位于所述压缩单元两侧，通过在第一电极和第二电极上施加电压，控制所述压缩单元的压缩状态。3.如权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，所述第一电极与所述抗刻蚀液体槽相邻，且所述第一电极的厚度小于所述第二电极的厚度。4.如权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，所述压缩单元为压电材料或电热材料。5.如权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，所述第一电极和第二电极的材料为多晶硅。6.如权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，所述喷头为圆柱形管子，所述圆柱形管子的内径为所述抗刻蚀图形的线宽的80％～120％。7.如权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述光照单元采用红外光照射。8.如权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述抗刻蚀液体包括底部抗反射材料或者光刻胶材料。9.如权利要求1所述的图形化装置，其特征在于，所述抗刻蚀液体包括无光敏成分的光刻胶材料。10.如权利要求2所述的图形化装置，其特征在于，还包括抗刻蚀液体池，所述抗刻蚀液体池与多个抗刻蚀液体槽连通。11.如权利要求10所述的图形化装置，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层位...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍强，胡华勇，刘畅，居建华，李国锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31