备用修复型图形化LED器件制造技术

本发明专利技术公开了一种备用修复型图形化LED器件，衬底上的每一个主用LED芯片的附近对应具有一个备用LED芯片，且所述的主用LED芯片和备用LED芯片之间配备独立的逻辑电路，当所述的主用LED芯片导通时，控制所述的备用LED芯片关闭；当所述的主用LED芯片烧断时，控制所述的备用LED芯片导通。由于采用上述技术方案，本发明专利技术的结构得到极大的优化，更加适合于高压LED的运用领域。

【技术实现步骤摘要】
备用修复型图形化[￡0器件
本专利技术涉及高压[￡0器件，尤其涉及到一种备用修复型图形化1^0器件。
技术介绍
应用的不断升级以及市场对于[￡0的需求，使得[￡0正朝着大功率和高亮度的方向发展。为实现上述目的，目前主要采用如下两种方式:其一，将几个或几十个，甚至上百个独立的120串联或并联起来，以制备高压120器件。这种结构的高压120器件键合引线多、成本高、面积大，但是具有个别独立的[￡0失效易于修复的优点；其二，直接在衬底上对1^0芯片进行图形集成制造，并通过对图形内部进行优化设计和对各个图形的组合优化以及优化它们之间的连接方式来制备高压1^0。这种方法相比前述其一的高压1^0具有体积小、薄膜化、稳定性高等优点，并且在相同的输出功率下能提供更高的发光效率。但是，通过图形集成制造的高压[￡0存在着致命的弱点:一旦集成于衬底中的一颗[￡0芯片单元烧断将会导致整个器件的实效。为此，有必要提供一种备用修复型图形化[￡0器件，以解决现有技术所存在的不足。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种备用修复型图形化[￡0器件。 为了实现以上目的，本专利技术提供了一种备用修复型图形化120器件，衬底上的每一个主用[￡0芯片的附近对应具有一个备用1^0芯片，且所述的主用1^0芯片和备用120芯片之间配备独立的逻辑电路，当所述的主用[￡0芯片导通时，控制所述的备用1^0芯片关闭；当所述的主用[￡0芯片烧断时，控制所述的备用1^0芯片导通。 作为本专利技术的进一步改进，包括位于衬底上的主用[￡0芯片单元、备用[￡0芯片单元，所述的备用[￡0芯片单元与主用1^0芯片单元之间通过逻辑电路连接，所述的逻辑电路包括控制单元，所述的控制单元判断所述的主用[￡0芯片单元中每一个主用1^0芯片是否均处于正常工作状态。 作为本专利技术的进一步改进，所述的主用[￡0芯片单元集中位于衬底上的第一预定位置，所述的备用[￡0芯片单元集中位于衬底上的第二预定位置，且每个主用1^0芯片的附近具有一个备用120芯片。 作为本专利技术的进一步改进，所述的备用[￡0芯片单元的芯片数目小于等于所述的主用[￡0芯片单元的芯片数目。 作为本专利技术的进一步改进，所述的逻辑电路包括开关单元，所述的开关单元根据所述的控制单元的判断结果控制所述的备用[￡0芯片单元处于关闭状态或者控制所述的备用[￡0芯片单元中处于烧断芯片邻近位置的1^0芯片开启。 由于采用上述技术方案，本专利技术的结构得到极大的优化，更加适合于高压120的运用领域。 【附图说明】 附图1为根据本专利技术的备用修复型图形化[￡0器件的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。 有鉴于此，在专利技术的一个较佳实施方式中，该备用修复型图形化[￡0器件的衬底上的每一个主用[￡0芯片的附近对应具有一个备用1^0芯片，且主用[￡0芯片和备用[￡0芯片之间配备独立的逻辑电路，当主用[￡0芯片导通时，控制备用1^0芯片关闭；当主用120芯片烧断时，控制备用120芯片导通。 参见附图1所示，作为本专利技术的另一个较佳实施方式，该备用修复型图形化[￡0器件还包括位于衬底上的主用120芯片单元、备用120芯片单元，备用120芯片单元与主用120芯片单元之间通过逻辑电路连接。逻辑电路包括控制单元，控制单元判断主用[￡0芯片单元中每一个主用[￡0芯片是否均处于正常工作状态。逻辑电路包括开关单元，开关单元根据控制单元的判断结果控制备用[￡0芯片单元的状态，当主用1^0芯片单元处于正常工作状态时，控制备用120芯片单元处于关闭状态；当主用120芯片单元中某个120芯片烧断时，控制备用[￡0芯片单元中处于邻近位置的1^0芯片开启。 作为进一步的改进，主用120芯片单元集中位于衬底上的第一预定位置，可以根据主用[￡0芯片单元的数量和分布位置，设计一定数量的备用1^0芯片单元集中位于衬底上的第二预定位置上，且每个主用[￡0芯片的附近具有一个备用1^0芯片，并且备用[￡0芯片单元的芯片数目小于等于主用[￡0芯片单元的芯片数目。 上述只是提供了两种方案来实现备用修复型图形化器件的实施方法。事实上，本专利技术重点在于提出了一种备用修复型图形化120器件的思想，无论采用基于本专利技术思想的任何方式来达到对集成图形阵列高压[￡0器件进行的修复都将被包括在本专利技术中。由于采用上述技术方案，本专利技术的结构得到极大的优化，更加适合于高压120的运用领域。 以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种备用修复型图形化LED器件，其特征在于：衬底上的每一个主用LED芯片的附近对应具有一个备用LED芯片，且所述的主用LED芯片和备用LED芯片之间配备独立的逻辑电路，当所述的主用LED芯片导通时，控制所述的备用LED 芯片关闭；当所述的主用LED芯片烧断时，控制所述的备用LED芯片导通。

【技术特征摘要】
1.一种备用修复型图形化LED器件，其特征在于:衬底上的每一个主用LED芯片的附近对应具有一个备用LED芯片，且所述的主用LED芯片和备用LED芯片之间配备独立的逻辑电路，当所述的主用LED芯片导通时，控制所述的备用LED芯片关闭；当所述的主用LED芯片烧断时，控制所述的备用LED芯片导通。2.根据权利要求1所述的备用修复型图形化LED器件，其特征在于:包括位于衬底上的主用LED芯片单元、备用LED芯片单元，所述的备用LED芯片单元与主用LED芯片单元之间通过逻辑电路连接，所述的逻辑电路包括控制单元，所述的控制单元判断所述的主用LED芯片单元中每一个主用LED芯片是否均处于正常工作状态。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：何源，谢祥同，何精明，
申请(专利权)人：苏州瀚墨材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32