半导体器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求于2014年2月6日提出的日本专利申请No. 2014-021142的优先权， 在此其内容通过引用并入本文。
本申请中公开的技术涉及一种包括异质结的半导体器件。
技术介绍
已开发了采用在具有不同带隙的电子传输层和电子供给层之间的异质结处形成 的二维电子气层的半导体器件。这种类型的半导体器件在漏电极和源电极之间提供有栅 极，以便取决于施加到栅极的电压来控制在漏电极和源电极之间流过的电流。日本专利申 请公布No. 2007-96203公开了这种半导体器件的示例。 这种类型的常规半导体器件包括在漏电极和源电极之间的等效电路，其中栅-漏 阻抗元件和栅-源阻抗元件串联连接。当过多的噪声电压被输入到漏电极时，该等效电路 就充当分压电路，从而基于由栅-漏阻抗和栅-源阻抗确定的分压比率增加位于串联连接 的阻抗元件之间的中点处的栅电极电压。由于这个原因，关于常规的半导体器件，有以下问 题：当过多的噪声电压被输入到漏电极时，由于栅电极的电压增加，所以会发生故障（称为 自导通）。 为了抑制栅电极的电压增加，优选降低栅-源阻抗。该栅-源...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层叠体；布置在所述半导体层叠体上的漏电极；布置在所述半导体层叠体上并且被定位为与所述漏电极分开的源电极；以及布置在所述半导体层叠体上并且被定位在所述漏电极和所述源电极之间的绝缘栅，其中所述半导体层叠体包括：第一半导体层；以及第二半导体层，所述第二半导体层布置在所述第一半导体层上并且具有与所述第一半导体层的带隙不同的带隙，在所述漏电极和所述绝缘栅之间的区域中，二维电子气层被配置成产生在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的异质结处，并且所述绝缘栅的一部分被配置成面对与所述源电极具有相同电位的部分。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：上杉勉，加地彻，菊田大悟，成田哲生，
申请(专利权)人：株式会社丰田中央研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。