半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件。限制了半导体器件的切换波形的振铃。例如，安置互连(L5)，其用作功率晶体管(Q3)的源极和二极管(D4)的阴极，并且还用作功率晶体管(Q4)的漏极和二极管(D3)的阳极。换句话讲，功率晶体管和与这个功率晶体管串联耦合的二极管形成在同一半导体芯片中；另外，用作功率晶体管的漏极的互连和用作二极管的阳极的互连彼此共用。这个结构使得可以减小彼此串联耦合的功率晶体管和二极管之间的寄生电感。

【技术实现步骤摘要】
201610022590

【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片，在所述半导体芯片中形成以下部件：第一功率晶体管，第一二极管，所述第一二极管反并联耦合到所述第一功率晶体管，第二二极管，所述第二二极管串联耦合到所述第一功率晶体管，以及第二功率晶体管，所述第二功率晶体管串联耦合到所述第一二极管，并且还反并联耦合到所述第二二极管；其中，所述第一功率晶体管包括：第一漏极和第一源极，所述第一漏极和所述第一源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第一栅电极，所述第一栅电极进行所述第一漏极和所述第一源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第二功率晶体管包括：第二漏极和第二源极，所述第二漏极和所述第二源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第二栅电极，所述第二栅电极进行所述第二漏极和所述第二源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第一二极管包括：第一阴极，所述第一阴极电耦合到所述第一漏极，以及第一阳极，所述第一阳极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极；并且其中，所述第二二极管包括：第二阴极，所述第二阴极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极，以及第二阳极，所述第二阳极电耦合到所述第二源极。

【技术特征摘要】
2015.02.06 JP 2015-0221131.一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体芯片，在所述半导体芯片中形成以下部件：第一功率晶体管，第一二极管，所述第一二极管反并联耦合到所述第一功率晶体管，第二二极管，所述第二二极管串联耦合到所述第一功率晶体管，以及第二功率晶体管，所述第二功率晶体管串联耦合到所述第一二极管，并且还反并联耦合到所述第二二极管；其中，所述第一功率晶体管包括：第一漏极和第一源极，所述第一漏极和所述第一源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第一栅电极，所述第一栅电极进行所述第一漏极和所述第一源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第二功率晶体管包括：第二漏极和第二源极，所述第二漏极和所述第二源极被布置成当在平面中观察时彼此分开，以及第二栅电极，所述第二栅电极进行所述第二漏极和所述第二源极之间流动的电流的通/断控制；其中，所述第一二极管包括：第一阴极，所述第一阴极电耦合到所述第一漏极，以及第一阳极，所述第一阳极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极；并且其中，所述第二二极管包括：第二阴极，所述第二阴极电耦合到所述第一源极和所述第二漏极，以及第二阳极，所述第二阳极电耦合到所述第二源极。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括：第一互连，所述第一互连用作所述第一功率晶体管的所述第一漏极和所述第一二极管的所述第一阴极，第二互连，所述第二互连用作所述第一功率晶体管的所述第一源极和所述第二二极管的所述第二阴极，并且还用作所述第二功率晶体管的所述第二漏极和所述第一二极管的所述第一阳极，以及第三互连，所述第三互连用作所述第二功率晶体管的所述第二源极和所述第二二极管的所述第二阳极。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一功率晶体管和所述第一二极管在第一方向上并排布置，其中，所述第二二极管和所述第二功率晶体管在所述第一方向上并排布置，其中，所述第一功率晶体管和所述第二二极管在与所述第一方向交叉的第二方向上并排布置，其中，所述第一二极管和所述第二功率晶体管在所述第二方向上并排布置，并且其中，所述第一互连至所述第三互连在所述第一方向上延伸以彼此分开。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一互连至所述第三互连在第一方向上延伸以彼此分开，其中，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管每一个均包括彼此并联耦合的多个单位晶体管，其中，所述单位晶体管中的每一个包括当在平面中观察时在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸以彼此分开的漏电极和源电极，其中，所述第一功率晶体管中包括的所述单位晶体管中的每一个的所述漏电极电耦合到用作所述第一漏极的所述第一互连，其中，所述第一功率晶体管中包括的所述单位晶体管中的每一个的所述源电极电耦合到用作所述第一源极的所述第二互连，其中，所述第二功率晶体管中包括的所述单位晶体管中的每一个的所述漏电极电耦合到用作所述第二漏极的所述第二互连，并且其中，所述第二功率晶体管中包括的所述单位晶体管中的每一个的所述源电极电耦合到用作所述第二源极的所述第三互连。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述半导体芯片包括电子传输层和形成在所述电子传输层上的电子供应层，其中，在所述电子传输层和所述电子供应层之间的界面中形成方势阱，并且其中，所述单位晶体管中的每一个的所述漏电极和所述源电极形成在所述电子供应层上以彼此分开。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述电子传输层和所述电子供应层每一个均是氮化物半导体层。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一互连至所述第三互连在第一方向上延伸以彼此分开，其中，所述第一二极管和所述第二二极管每一个均包括彼此并联耦合的多个单位二极管，其中，当在平面中观察时，所述单位二极管中的每一个包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的阳极电极和阴极电极，其中，所述第一二极管中包括的所述单位二极管中的每一个的所述阴极电极电耦合到用作所述第一阴极的所述第一互连，其中，所述第一二极管中包括的所述单位二极管中的每一个的所述阳极电极电耦合到用作所述第一阳极的所述第二互连，其中，所述第二二极管中包括的所述单位二极管中的每一个的所述阴极电极电耦合到用作所述第二阴极的所述第二互连，并且其中，所述第二二极管中包括的所述单位二极管中的每一个的所述阳极电极电耦合到用作所述第二阳极的所述第三互连。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦喜直，宫本广信，冈本康宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP