半导体器件制造技术

本发明专利技术提供一种具有高自由度的布局的半导体器件。在该半导体器件中，在第1部分(AR1)中，沿X轴方向交替地邻接地配置有多个p型阱(PW)和多个n型阱(NW)，在沿Y轴方向夹着该AR1的一侧配置有相对于该多个PW的公共的供电区域(ARP2)，在另一侧配置有相对于该多个NW的公共的供电区域(ARN2)。例如，在相对于PW的供电区域(ARP2)内形成有在X轴方向上具有细长形状的p+型的供电用扩散层(P+(DFE))。在AR1中，配置有跨着PW、NW的边界且沿X轴方向延伸的多个栅极层(GT)。由此形成多个MIS晶体管。

【技术实现步骤摘要】
201610373447

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：包含第1部分至第3部分的第1导电型的第1阱区域；所述第1导电型的第1供电区域；和包含第4部分的第2导电型的第2阱区域，在第1方向上，在所述第1部分和所述第2部分之间配置有所述第4部分，所述第3部分具有向着所述第1方向延伸的形状，并在与所述第1方向相交的第2方向上与所述第1部分及第2部分连结，所述第1供电区域形成在所述第3部分内，并经由所述第1阱区域而对所述第1部分和所述第2部分供给规定的电压，所述第1供电区域包含在所述第2方向上与所述第1部分的一部分或全部相对的区域以及与所述第2部分的一部分或全部相对的区域，还具有：存储阵列，其包括向着所述第1方向延伸的字线、向着所述第2方向延伸的多条位线、和配置在所述字线与多条所述位线的交点处的多个存储单元；以及对多条所述位线进行信号的输入输出的列控制电路，多个所述存储单元各自所含有的MIS晶体管的栅极层向着所述第1方向延伸，在所述第1阱区域及所述第2阱区域中形成有所述列控制电路的一部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田健，柳谷优太，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP