SRAM单元的形成方法技术

一种SRAM单元的形成方法，包括：形成有：第一、二、三、四、五、六鳍部；横跨第一、二、三鳍部的第一栅极，横跨第一、二鳍部的第二栅极，第一、二栅极之间的第一、二鳍部为第一漏极；横跨第四、五、六鳍部的第三栅极，横跨第五、六鳍部的第四栅极，第三、四栅极之间的第五、六鳍部为第二漏极；第一栅极两侧第三鳍部的第五源极、第三漏极；第三栅极两侧第四鳍部的第六源极、第四漏极；形成层间介质层；第一图形化形成第一沟槽，横跨第一漏极的第一、二鳍部、第三漏极的第三鳍部；第二图形化形成第二沟槽，横跨第二漏极的第五、六鳍部、第四漏极的第四鳍部；在第一沟槽形成第一金属层、第二沟槽形成第二金属层。SRAM单元在工艺上得以实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种SRAM单元的形成方法。
技术介绍
静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)作为存储器中的一员，具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点，广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。一个静态随机存储器包括多个静态随机存储器单元(以下简称SRAM单元)，该多个SRAM单元按照阵列排列，一个SRAM单元包括六个晶体管(6-T)。随着集成电路集成度提高，SRAM单元的特征尺寸逐渐减小且所占晶圆面积也越来越小。与平面MOS晶体管的尺寸相t匕，鳍式场效应晶体管的尺寸更小，也更符合未来集成电路更高集成度的要求。现有技术中，参照图1，包含六个鳍式场效应晶体管的6T结构SRAM单元包括:并列排布的第一鳍部11、第二鳍部12、第三鳍部13、第四鳍部14、第五鳍部15和第六鳍部16 ；横跨第一鳍部11、第二鳍部12和第三鳍部13的第一栅极21，和横跨第一鳍部11和第二鳍部12的第二栅极22，第一栅极21和第二栅极22之间的第一鳍部部分和第二鳍部部分共同作为第一漏极31，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM单元的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有：并列排布的第一鳍部、第二鳍部、第三鳍部、第四鳍部、第五鳍部和第六鳍部；横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的第一栅极，和横跨所述第一鳍部和第二鳍部的第二栅极，所述第一栅极和第二栅极之间的第一鳍部部分、第二鳍部部分共同作为第一漏极，所述第一栅极相对第一漏极的另一侧的第一鳍部部分、第二鳍部部分作为第一源极，所述第二栅极相对第一漏极的另一侧的第一鳍部部分、第二鳍部部分作为第二源极，横跨所述第一鳍部和第二鳍部的第一栅极部分、第一源极和第一漏极共同构成第一下拉晶体管，所述第二栅极、第二源极和第一漏极共同构成第一传输晶体管；横跨所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张弓，傅丰华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31