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一种SRAM单元的形成方法，包括：形成有：第一、二、三、四、五、六鳍部；横跨第一、二、三鳍部的第一栅极，横跨第一、二鳍部的第二栅极，第一、二栅极之间的第一、二鳍部为第一漏极；横跨第四、五、六鳍部的第三栅极，横跨第五、六鳍部的第四栅极，第三、...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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