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本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件提供有电子传输层、电子供给层、源区、漏电极、源电极和绝缘栅。在漏电极和绝缘栅之间的区域中，二维电子气被配置成在电子传输层和电子供给层之间的异质结处产生。绝缘栅的一部分被配置成面对源区。...
该专利属于株式会社丰田中央研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社丰田中央研究所授权不得商用。

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