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本实用新型公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口，每一圈注入窗口之...该专利属于中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。