版图、像素单元结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种版图、像素单元结构及其制备方法，包括光电二极管阵列和用于光电二极管之间互连的互连层，互连层包括：第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，以及位于其上方的第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，第一金属互连线包括用作信号输出线的横向互连线，以及用作传输控制线、复位控制线或行选控制线的纵向互连线；纵向互连线由与横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与纵向金属互连线通过接触孔连接的多晶跳线构成；表面覆盖有金属硅化物层的多晶跳线位于纵向互连线与横向互连线相交的区域下方；第二金属互连线用作电源线，其将光电二极管之间的区域覆盖，将用于光电二极管区域暴露出来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器领域，具体涉及一种CMOS图像传感器像素单元结构及其制备方法，以及像素单元结构版图。
技术介绍
通常，图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片.CMOS图像传感器和传统的CCD传感器相比具有的低功耗，低成本和与CMOS工艺兼容等特点，因此得到越来越广泛的应用。现在CMOS图像传感器不仅用于微型数码相机(DSC)、手机摄像头、摄像机和数码单反(DSLR)等消费电子领域，而且在汽车电子、监控、生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。CMOS图像传感器的像素单元是图像传感器实现感光的核心器件。最常用像素单元为包含一个光电二极管和四个晶体管的有源像素结构，这些器件中光电二极管是感光单元，实现对光线的收集和光电转换，其它的MOS晶体管是控制单元，主要实现对光电二极管的选中、复位、信号放大和读出的控制。在图像传感器芯片的各种性能评价指标中，灵敏度和暗角现象都是影响图<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素单元结构，其应用于CMOS图像传感器中，其包括光电二极管阵列和用于将各个所述光电二极管之间进行互连的互连层，其特征在于，所述互连层包括：第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，其具有：横向互连线，用作信号输出线；纵向互连线，用作传输控制线、复位控制线或行选控制线；其由与所述横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与所述纵向金属互连线通过接触孔连接的多晶跳线构成；其中，所述多晶跳线位于所述纵向互连线与所述横向互连线相交的区域下方，其表面覆盖有金属硅化物层，从而避免所述横向互连线与所述纵向互连线在所述相交的区域产生短路；第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，用作...

【技术特征摘要】
1.一种像素单元结构，其应用于CMOS图像传感器中，其包括光电二极管
阵列和用于将各个所述光电二极管之间进行互连的互连层，其特征在于，所述
互连层包括：
第一金属互连线和位于第一金属互连线间的第一介质层，其具有：
横向互连线，用作信号输出线；
纵向互连线，用作传输控制线、复位控制线或行选控制线；其由与所
述横向金属互连线在同一高度上的纵向金属互连线、和与所述纵向金属互连线
通过接触孔连接的多晶跳线构成；其中，所述多晶跳线位于所述纵向互连线与
所述横向互连线相交的区域下方，其表面覆盖有金属硅化物层，从而避免所述
横向互连线与所述纵向互连线在所述相交的区域产生短路；
第二金属互连线和位于第二金属互连线间的第二介质层，用作电源线，其
位于所述第一金属互连线和所述第一介质层上方，其将用于感光的光电二极管
之间的区域覆盖，将所述用于感光的光电二极管区域暴露出来。
2.根据权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述横向互连线与
所述纵向互连线相互垂直。
3.根据权利要求2所述的像素单元结构，其特征在于，所述纵向互连线呈
条状。
4.根据权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述多晶跳线的材
料为多晶硅材料。
5.根据权利要求1所述的像素单元结构，其特征在于，所述第二金属互连
线呈网格状分布。
6.一种像素单元结构版图，其特征在于，包括：光电二极管阵列图形和用
于将各个所述光电二极管之间进行互连的互连层图形，所述互连层图形包括：
第一金属互连线图形，其具有：
横向互连线图形，用作信号输出线图形；
纵向互连线图形，用作传输控制线图形、复位控制线图形或行选控制
线图形；其由纵向金属互连线图形、位于所述纵向金属互连线图形下方的多晶

【专利技术属性】
技术研发人员：顾学强，周伟，范春晖，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31