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本实用新型公开了一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构，包括器件元胞，所述器件元胞包括由下至上依次分布的衬底层和外延层，在外延层中分布有有源区和漂移区，在外延层的上部分布有场氧层和栅氧层，在场氧层和栅氧层的上部分布有多晶硅层，在多晶硅层上...
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