一种半导体器件的检测方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，所述方法包括以下步骤：制备半导体器件版图；选用光学临近修正方法对所述半导体器件版图复制得到掩膜版，并进行修正；对所述掩膜版进行模拟并预测掩膜版中缺陷点的位置；根据所述模拟的结果制备检测版图，并将所述检测版图置于所述掩膜版上，对所述缺陷点位置进行检测。在本专利技术为了克服现有技术中查找缺陷点耗费时间长，效率低下的问题，本专利技术所述方法能够更加准确、快速的查找到故障点。【专利说明】
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimens1n,⑶),随着半导体技术的不断发展器件的关键尺寸越来越小，正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。 光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备...
【技术保护点】
一种半导体器件的检测方法，所述方法包括以下步骤：制备半导体器件版图；选用光学临近修正方法对所述半导体器件版图复制得到掩膜版，并进行修正；对所述掩膜版进行模拟并预测掩膜版中缺陷点的位置；根据所述模拟的结果制备检测版图，并将所述检测版图置于所述掩膜版上，对所述缺陷点位置进行检测。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：倪百兵，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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