一种半导体器件失效定位方法技术
Semiconductor device failure positioning method
The present invention discloses a positioning method of semiconductor device failure, including: opening a semiconductor device package with chip power on the chip; and the device is coated on the surface of liquid crystal, liquid crystal color change according to the situation, determine the failure position; on chip of the device layer by layer until the failure point completely exposed; the present invention proved simple and convenient operation, the liquid crystal technology into the semiconductor device failure analysis, to make up for the light microscope at the same time, the problem of expensive equipment, and put forward the related parameters and chemical composition of semiconductor chip in dry etching and wet etching, stripping layer can be effectively used in conventional Si semiconductor devices; the effective combination it can satisfy the semiconductor device failure analysis of deep positioning and demand failure analysis.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件失效定位方法
本专利技术涉及半导体器件检测
，特别是指一种半导体器件失效定位方法。
技术介绍
集成电路是电子系统中最关键，也是应用最广泛的器件，由于集成度的提高，使得电流密度增加，电场增强，其可靠性问题日益严重。在所有电子元器件的失效分析任务中，半导体器件的失效分析占据了60％左右。随着集成电路向细线条、多层布线结构的方向发展，使得集成电路的失效往往发生在内部多层结构下层的层间金属化或有源区，传统的只是局限于解剖器件封装暴露芯片为终点的半导体器件失效分析方法，已经不能满足型号归零工作对半导体器件失效分析的要求。据不完全统计，型号用集成电路的失效分析中，测试结果显示器件参数超差甚至功能失效，而在芯片表面未发现异常占据了百分之十五左右，这一比例有逐年上升的趋势；并且这些器件在系统中大都属于核心/关键器件。由于无法对芯片深层的进行解剖，无法进行进一步深入分析，也就无法确定器件失效的真正原因，直接影响了后续失效分析的工作质量，无法对后续的归零工作以及大型应用系统(如航天武器系统)的质量控制提供有力的技术支撑。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提...
【技术保护点】
一种半导体器件失效定位方法，其特征在于，包括：开启半导体器件封装，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电，根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置；对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件失效定位方法，其特征在于，包括：开启半导体器件封装，露出器件芯片；在所述器件芯片表面涂覆液晶并加电，根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置；对所述器件芯片进行逐层剥层直至所述失效点完全暴露。2.根据权利要求1所述的半导体器件失效定位方法，其特征在于，所述根据液晶颜色变化情况，确定失效点位置具体包括：通过金相显微镜或偏振显微镜观察液晶颜色变化情况。3.根据权利要求1所述的半导体器件失效定位方法，其特征在于，对所述器件芯片进行逐层剥层时，使用干法刻蚀或湿法刻蚀。4.根据权利要求3所述的半导体器件失效定位方法，其特征在于，使用湿法刻蚀对所述器件芯片进行逐层剥层时...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺峤，范士海，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：发明
国别省市：北京,11
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