半导体器件及半导体器件的制造方法技术

本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

The invention discloses a method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device, the semiconductor device includes a first set in the N layer on the surface of n+ type silicon carbide substrate, arranged in the N type layer and spaced first and second trenches, P region surrounding the first groove and the side the corner, set the type n+ region of the N type layer between the p region and the first grooves and the second grooves on the set in the second trench gate insulating layer, a gate electrode is provided on the insulating layer on the gate oxide layer on the set. The gate electrode, a source electrode arranged in the oxide layer and the n+ type area and is arranged in the first groove and is arranged on the n+ type silicon carbide substrate on the second surface of the drain electrode, the source electrode and the N layer which is in contact .

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及半导体器件的制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0178098的优先权权益，其全部内容通过引证结合于此。
本公开涉及包括碳化硅(SiC)的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
功率半导体器件需要具有低导通电阻或低饱和电压，以在大量电流流过时，降低导电状态下的功率损耗。进一步地，功率半导体器件需要具有承受其PN结下的反向高电压的能力，当功率半导体器件断开或开关断开时，反向高电压可施加到功率半导体器件的相对端上，也就是，功率半导体器件具有高击穿电压特性。当满足电力条件和物理条件的各种功率半导体器件封装在一个模块中时，包含在封装模块内的半导体器件的数量及其电性规格可能根据系统需要的条件而变化。通常，使用三相功率半导体模块来生成驱动电机的洛伦兹力(Lorentzforce)。也就是，三相功率半导体模块控制施加到电机上的电流和功率，使得确定电机的驱动状态。尽管传统的硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和硅二极管已包含并用在三相半导体模块中，但三相半导体模块近来趋向于包括碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其包括n‑型层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽设置在所述n‑型层上且彼此隔开；p型区域，包围所述第一沟槽的侧面和拐角；n+型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上；栅绝缘层，设置在所述第二沟槽内；栅电极，设置在所述栅绝缘层上；氧化层，设置在所述栅电极上；源电极，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内；以及漏电极，设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上，其中，所述源电极与设置在所述第一沟槽下方的所述n‑型层接触。

【技术特征摘要】
2015.12.14 KR 10-2015-01780981.一种半导体器件，其包括n-型层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽设置在所述n-型层上且彼此隔开；p型区域，包围所述第一沟槽的侧面和拐角；n+型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n-型层上；栅绝缘层，设置在所述第二沟槽内；栅电极，设置在所述栅绝缘层上；氧化层，设置在所述栅电极上；源电极，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内；以及漏电极，设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上，其中，所述源电极与设置在所述第一沟槽下方的所述n-型层接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件进一步包括设置在所述n-型层和所述n+型区域之间的低浓度n-型层。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述低浓度n-型层的掺杂浓度小于所述n-型层的掺杂浓度。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述低浓度n-型层设置在所述第二沟槽和所述p型区域之间。5.根据权利要求4所述的半导体器件，所述半导体器件进一步包括设置在p型区域和所述第一沟槽之间的p+型区域。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述p+型区域包围所述第一沟槽的所述侧面和所述拐角。7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：千大焕，郑永均，周洛龙，朴正熙，李钟锡，
申请(专利权)人：现代自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR