一种半导体器件及其制作方法技术
A semiconductor device and a method of manufacturing the same
The present invention provides a semiconductor device and a manufacturing method thereof, by forming on the surface of the semiconductor substrate anti reflective layer, the anti reflective layer corresponding to the device fabrication region thickness is less than the thickness of the anti reflection layer corresponding to the edge of the device thickness is small easy to make anti reflection layer is conducive to the production, etching, semiconductor devices at the same time, around the edge area of the device fabrication due to thicker anti reflective layer, avoiding the semiconductor devices due to defects caused by edge etching, improve the yield of three-dimensional storage.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法
本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，存储器件越来越多的应用到人们的工作以及日常生活当中，为人们的工作以及日常生活带来了巨大的便利。目前，存储器已经逐步从简单的平面结构发展为复杂的三维结构。如图1所示，三维存储器通常包括叠层结构110和贯穿该多层膜结构的多个深槽120，这种结构可以通过多层薄膜沉积形成叠层结构后进行高深宽比的深槽刻蚀来实现。现有技术中，采用深槽刻蚀工艺形成的器件良率不高。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体器件及其制作方法，提高了器件的良率。技术方案如下：一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括器件制作区和围绕所述器件制作区的边缘区域；在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度；在所述器件制作区形成所述半导体器件。优选的，所述在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度，包括：在所述半导...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括器件制作区和围绕所述器件制作区的边缘区域；在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度；在所述器件制作区形成所述半导体器件。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括器件制作区和围绕所述器件制作区的边缘区域；在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度；在所述器件制作区形成所述半导体器件。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度，包括：在所述半导体基底表面形成等厚的抗反射层；减薄所述器件制作区的所述抗反射层，使得所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述减薄所述器件制作区的所述抗反射层，包括：在所述抗反射层上形成第一掩膜，所述第一掩膜暴露所述器件制作区的抗反射层；刻蚀所述抗反射层，以去除预设厚度的所述抗反射层。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设厚度为所述抗反射层厚度的2...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，夏志良，李广济，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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