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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度，其中，厚度较小的器件制作区的抗反射层易于被刻蚀，利于半导体器件的制作，同时，围绕器件制...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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