The present invention relates to a floating grid generation method, floating gate flash memory flash generation method and manufacturing method includes: a substrate to be generated in the floating gate isolation area; deposited polysilicon layer on a substrate; a polysilicon layer includes a polysilicon floating gate layer to be generated and non generated floating gate area polycrystalline silicon layer; to generate floating the gate polysilicon layer by ion implantation, to change to the crystalline state generated floating gate regions of polysilicon layer; chemical mechanical planarization of polycrystalline silicon layer, until to generate a polysilicon floating gate layer is separated to form a grid; isolation, removal of non floating gate polysilicon layer formation region to form a floating gate. The beneficial effect of the invention is: to avoid the damage process of removing the substrate generated non floating gate polysilicon layer in the region, leading to the formation of the device can not be opened or failure; and avoiding the current generation in ion implantation process, the generation of non floating gate regions of polysilicon layer is too thin, if not this part take protective measures the effect of substrate, ion implantation will be.
【技术实现步骤摘要】
一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法
本专利技术涉及半导体制造
,特别涉及一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法。
技术介绍
现有闪存制造工艺在存储区形成浮栅的具体制程为:在存储区已生成浅槽隔离的衬底上沉积生成多晶硅层,再由化学机械研磨的方式去除多晶硅层,直至多晶硅层在存储区被浅槽隔离分离形成栅格,然后对多晶硅层进行离子注入,最后去除外围电路区的多晶硅层,从而在存储区形成浮栅。但是由于外围电路区浅槽隔离少于存储区浅槽隔离,导致化学机械研磨时,研磨速率存储区低于外围电路区,存储区和外围电路区剩余的多晶硅层的厚度存在台阶差;当存储区多晶硅层厚度满足浮栅要求时,外围电路区多晶硅层过薄;过薄的外围电路区多晶硅层在去除时,容易导致衬底有源区硅的损伤,从而导致闪存器件无法正常开启,甚至失效。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法,解决现有技术中存在的上述问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种浮栅生成方法,包括如下步骤:步骤1,在衬底待生成浮栅区生成隔离;步骤2,在衬底上沉积生成多晶硅层;所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层;步骤3,对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入,以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态;步骤4,对多晶硅层进行化学机械研磨,直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离,以形成栅格;步骤5,去除所述非生成浮栅区多晶硅层,以形成浮栅。本专利技术的有益效果是:将现有浮栅生成方式中的离子注入进程提到化学机械研磨进程之前,并且仅对待生成浮栅区多晶硅层进 ...
【技术保护点】
一种浮栅生成方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在衬底待生成浮栅区生成隔离;步骤2,在衬底上沉积生成多晶硅层;所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层;步骤3,对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入,以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态;步骤4,对多晶硅层进行化学机械研磨,直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离,以形成栅格;步骤5,去除所述非生成浮栅区多晶硅层,以形成浮栅。
【技术特征摘要】
1.一种浮栅生成方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在衬底待生成浮栅区生成隔离;步骤2,在衬底上沉积生成多晶硅层;所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层;步骤3,对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入,以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态;步骤4,对多晶硅层进行化学机械研磨,直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离,以形成栅格;步骤5,去除所述非生成浮栅区多晶硅层,以形成浮栅。2.根据权利要求1所述一种浮栅生成方法,其特征在于,所述步骤3包括,在所述多晶硅层上涂覆光刻胶,光刻去除所述待生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶,保留所述非生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶,以保留的光刻胶为掩膜对所述多晶硅层进行离子注入,以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态。3.根据权利要求2所述一...
【专利技术属性】
技术研发人员:张超然,罗清威,刘杰,李赟,周俊,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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