【技术实现步骤摘要】
201510021016
【技术保护点】
一种闪存结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有源区、漏区及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；栅极堆叠结构，设置于所述沟道区之上，且部分覆盖所述源区和所述漏区；其中，所述栅极堆叠结构包括覆盖所述沟道区、部分所述源区和部分所述漏区的隧穿氧化层，且位于所述沟道区正上方的所述隧穿氧化层的厚度大于交叠在所述源区和/或所述漏区正上方的所述隧穿氧化层的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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