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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种闪存结构及其制备方法，通过采用倾斜离子注入工艺，以在位于相邻的浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底中形成F离子注入浓度不均的掺杂区，由于F离子的影响，在进行氧化工艺后，于掺杂区上形成厚度不均的隧穿氧化层，...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。