The present invention provides a method for preparing a FINFET structure, including: grinding out silicon nitride silicon oxide on the 2 through 1; low selection ratio of grinding fluid to grind a certain amount of silicon oxide and silicon nitride 2 to 1, 2 of the thickness of thin silicon nitride; wet etching to remove silicon nitride; wet etching to remove partial oxidation silicon 1, formation of FinFET structure. The technical scheme of the invention is simple, using two CMP process, thinning the thickness of silicon nitride, silicon nitride increased width, which increases the contact area of silicon nitride and chemicals, is conducive to the wet removal of silicon nitride, silicon nitride and ultimately achieve complete removal, to avoid the consequences of incomplete removal of silicon nitride.
【技术实现步骤摘要】
一种FINFET结构的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种FINFET结构的制备方法。
技术介绍
FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。目前,现有技术通过CMP形成FinFET,在第一步常规STI(shallowtrenchisolation浅沟道隔离)-CMP完成以后,第二步利用dryetch(干法刻蚀)刻蚀掉一定量的oxide(氧化物),第三步利用H3PO4去除有源区上的Nitride(氮化物),第四部利用wetetch(湿法刻蚀)刻蚀掉一定量的oxide,最终形成FinFET结构。这种集成方案在Nitrideremove(氮化物去除)时,由于FinFET结构有源区CD很小,H3PO4液很难进入狭小空间,可能导致Nitride残留,去除不完全;并且在第四步利用湿法刻蚀去除一定量的STI区域的Oxide时,也会对有源区上的Oxide造成侵蚀。这种缺陷在技术节点达到20nm及以下是无法容忍的。专利CN101097956公开了一种FINFET结构及FINFET结构的制作方法。该方法包括:在硅基片顶表面形成硅鳍片;在鳍片的相对侧壁上形成栅极电介质;在鳍片的沟道区域上形成栅电极,栅电极与位于鳍片的相对侧壁上的栅极电介质层形成直接的物理接触;在鳍片内沟道区域的第一面上形成第一源/漏区,在鳍片内沟道区域的第二面上形成第二源/漏区;从至少部分第一和第二源/漏区下方去除部分基片以形成 ...
【技术保护点】
一种FINFET的鳍状结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,提供待研磨晶圆,所述晶圆的STI区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层、氮化硅和氧化物,所述晶圆的其他区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层和氧化物层,位于STI区域的缓冲垫氧化层的顶部高于其他区域中的缓冲垫氧化层的顶部;步骤2,研磨掉氮化硅上的氧化物;步骤3,继续研磨一定量的氧化物层和氮化硅;步骤4,湿法刻蚀去除氮化硅;步骤5,湿法刻蚀去除部分氧化物层,使位于STI区域的缓冲垫氧化层高于位于晶圆的其他区域的剩余的氧化物层,以形成鳍状结构。
【技术特征摘要】
1.一种FINFET的鳍状结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,提供待研磨晶圆,所述晶圆的STI区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层、氮化硅和氧化物,所述晶圆的其他区域由底部至顶部依次设有缓冲垫氧化层和氧化物层,位于STI区域的缓冲垫氧化层的顶部高于其他区域中的缓冲垫氧化层的顶部;步骤2,研磨掉氮化硅上的氧化物;步骤3,继续研磨一定量的氧化物层和氮化硅;步骤4,湿法刻蚀去除氮化硅;步骤5,湿法刻蚀去除部分氧化物层,使位于STI区域的缓冲垫氧化层高于位于晶圆的其他区域的剩余的氧化物层,以形成鳍状结构。2.如权利要求1所述的FINFET的鳍状结构的制备方法,其特征在于,所述步骤2包括:步骤2.1,采用固定研磨时间对氧化物研磨;步骤2...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁弋,陈锟,朱也方,李芳,王从刚,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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