半导体器件及其生产方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其生产方法。一个半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面，其中第二主面是所述半导体芯片的背面。进一步地，所述半导体器件包括导电层，特别地，被布置在所述半导体芯片的第二主面的第一区域上。进一步地，所述半导体器件包括聚合物结构，所述聚合物结构被布置在所述半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是所述半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。

Semiconductor device and production method thereof

The invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same. A semiconductor device includes a semiconductor chip including a first main surface and a second main surface, wherein the second main surface is the backside of the semiconductor chip. Further, the semiconductor device includes a conductive layer, in particular, arranged on the first region of the second main face of the semiconductor chip. Further, the semiconductor device comprises a polymer structure, the polymer structure is arranged in second areas of the second main surface of the semiconductor chip, wherein the second region is the peripheral area of the second main surface of the semiconductor chip, and the first and second areas adjacent to the.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其生产方法
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，并且更特别地涉及分离半导体衬底的技术，诸如例如将晶片分离成半导体单元，诸如例如芯片。
技术介绍
半导体器件制造商一直致力于提高他们产品的性能，同时降低他们的制造成本。半导体器件制造中的成本密集区是封装半导体芯片。正如本领域技术人员所了解的，集成电路被制造于晶片上，晶片随后被单一化(singulate)以生产半导体芯片。随后，半导体芯片可以被安装在导电载体(诸如引线框)上。以低支出提供高产量的封装方法是所期望的。出于这些和其他原因，存在对本专利技术的需要。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，其中第二主面是半导体芯片的背面；导电层，被布置在半导体芯片的第二主面的第一区域上；以及聚合物结构，被布置在半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。根据本专利技术的另一方面，提供了一种方法，包括：提供具有第一主面和第二主面的半导体晶片，其中第二主面是半导体晶片的背面；在半导体晶片的第二主面上形成多个聚合物条；在多个聚合物条上和在半导体晶片的第二主面上形成导电层；以及对导电层进行平面化。附图说明附图被包括以便提供对实施例的进一步理解，并且附图被结合到本说明书中并构成其一部分。附图图示了实施例并且连同描述一起用于解释实施例的原理。其他实施例以及实施例的许多预期优点将会被容易地认识到，因为通过参考下面的详细描述，它们会变得被更好地理解。图1A-1E示意性地图示了制造半导体器件的方法的一个实施例的横截面图；图2A-2E示意性地图示了制造半导体器件的方法的一个实施例的横截面图；图3A-3E示意性地图示了制造半导体器件的方法的一个实施例的横截面图；图4A-4E示意性地图示了制造半导体器件的方法的一个实施例的横截面图；图5A-5E示意性地图示了制造半导体器件的方法的一个实施例的横截面图；图6示意性地图示了半导体器件的一个实施例的横截面图；图7示意性地图示了半导体器件的一个实施例的横截面图；图8示意性地图示了半导体器件的一个实施例的横截面图；图9示意性地图示了半导体器件的一个实施例的底视图；图10示意性地图示了半导体器件的一个实施例的底视图；以及图11示意性地图示了具有结构化背部导电层的晶片的底视图；具体实施方式现在参考附图来描述方面和实施例，在附图中，自始至终，相似附图标记通常用来指代相似元件。在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多特定细节以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而，对本领域技术人员来说可以显而易见的是，可以在较少程度的特定细节下实行实施例的一个或多个方面。在其他实例中，以示意性形式来示出已知结构和元件，以便于描述实施例的一个或多个方面。因此，以下描述不应在限制的意义上采用，并且范围由所附权利要求限定。还应当注意，图中的各种层、片材或衬底的表示不一定按比例绘制。在下面的详细描述中，对附图进行了参照，这些附图形成该详细描述的一部分，并且在这些附图中通过示意的方式示出了可在其中实行本专利技术的具体示例。在这一点上，参照所描述的(一个或多个)图的定向来使用方向性术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等等。由于可以以多个不同定向来定位实施例的组件，因此方向性术语被用于示意的目的并且决不进行限制。应当理解，在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑的改变。因此，下面的详细描述不应在限制的意义上采用，并且本专利技术的范围由所附权利要求限定。应当理解，可以将本文描述的各种示例性实施例的特征与彼此组合，除非以其他方式具体指出。如在本说明书中采用的那样，术语“耦合”和/或“电耦合”不意在意指元件必须直接耦合在一起；可以在“耦合”或“电耦合”的元件之间提供居间的元件。下文进一步描述的半导体芯片可以属于不同类型，可以通过不同技术而制造并且可以包括例如集成的电、电光或机电的电路和/或无源件。半导体芯片例如可以被配置为功率半导体芯片。此外，半导体芯片可以包括控制电路、微处理器或微机电组件。此外，下文描述的器件可以包括逻辑集成电路以控制其他半导体芯片的集成电路，例如功率半导体芯片的集成电路。半导体芯片不必由特定的半导体材料(例如Si、SiC、SiGe、GaAs制造)，并且此外，可以包含不是半导体的无机和/或有机材料，诸如例如绝缘体、塑料或金属。下文描述包含此类半导体芯片的半导体器件。特别地，可以涉及具有垂直结构的半导体芯片，也就是说，半导体芯片可以以下述这种方式制造：电流可在垂二直于半导体芯片主面的方向上流动。具有垂直结构的半导体芯片在其两个主面上具有电极，也就是说，在其顶面和底面(此处底面也称为背面)上。特别地，半导体器件可以包括功率半导体芯片。功率半导体芯片可以具有垂直结构。垂直功率半导体芯片例如可以被配置为功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、JFET(结型栅场效应晶体管)、功率双极型晶体管或功率二极管。举例来说，功率MOSFET的源电极和栅电极可位于一个主面上，而功率MOSFET的漏电极被布置在另一个主面上。半导体芯片可以具有接触焊盘(或电极)，其允许与被包括在半导体芯片内的集成电路进行电接触。电极可以包括一个或多个电极金属层，其被施加至半导体芯片的半导体材料。电极金属层可制造为具有任意期望的几何形状以及任意期望的材料成分。电极金属层例如可以具有覆盖区域的层的形式。任意期望的金属(例如，Cu、Ni、Sn、Au、Ag、Pt、Pd)以及这些金属中的一个或多个的合金可以用作材料。(一个或多个)电极金属层不必是均质的或由恰一种材料制造，也就是说，被包含在(一个或多个)电极金属层内的材料的各种成分和浓度都是可能的。在若干实施例中，施加了一个或多个传导层，尤其是导电层。应当领会的是，如“形成”或“施加”之类的任何这种术语意在覆盖施加层的字面上所有种类和技术。特别地，它们意在覆盖在其中层被立刻作为整体而应用的技术(像例如层压技术)以及在其中层以顺序方式沉积的技术(像例如溅射、电镀、模塑、CVD(化学气相沉积)、PVD(物理气相沉积)、蒸发、混合物理化学气相沉积(IHPCVD)等等)。除其他之外，所施加的传导层可以包括金属层(诸如Cu或Sn或其合金)、导电胶层和接合材料层中的一个或多个。金属层可以为均质层。导电胶可以包含分布在可蒸发的或可固化的聚合物材料中的金属粒子，其中胶可以是流动的、黏性的或蜡状的。接合材料可被施加以电连接和机械连接半导体芯片，例如到载体或例如到接触夹。软焊材料或者特别地能够形成扩散焊接接合的焊接材料可以被使用，例如，包括Sn、SnAg、SnAu、SnCu、In、InAg、InCu和InAu中的一种或多种的焊接材料。切割工艺可以用来将晶片分成单独的芯片。可以应用用于切割的任意技术，例如，刀片切割(锯切)、激光切割、蚀刻等等。特别地，可以应用隐形(stealth)切割，其为使用激光切割的特定技术。隐形切割允许抑制切削浪费且因此是用于切削易受污染的工件的适当工艺。进一步地，它是不需要清洗的干法工艺，且因此也适合于加工敏感结构，诸如例如易受负载损害的MEM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，其中第二主面是半导体芯片的背面；连续的导电层，被布置在半导体芯片的第二主面上；以及聚合物结构，被布置在半导体芯片的第二主面上，其中聚合物结构包括沿着第二主面的相对的边缘分布的至少两个条，其中导电层和该导电层的面向条的侧边缘横向地位于至少两个条之间。

【技术特征摘要】
2012.12.14 US 13/7158681.一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一主面和第二主面，其中第二主面是半导体芯片的背面；连续的导电层，被布置在半导体芯片的第二主面上；以及聚合物结构，被布置在半导体芯片的第二主面上，其中聚合物结构包括沿着第二主面的相对的边缘分布的至少两个条，其中导电层和该导电层的面向条的侧边缘横向地位于至少两个条之间。2.根据权利要求1的半导体器件，其中半导体芯片的厚度小于100μm。3.根据权利要求1的半导体器件，其中布置在半导体芯片的第二主面上的导电层的面积为半导体芯片的第二主面的至少80%。4.根据权利要求1的半导体器件，其中布置在半导体芯片的第二主面上的导电层的面积为半导体芯片的第二主面的至少90%。5.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物结构的侧向面与半导体芯片的侧向面齐平。6.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物结构包括酰亚胺。7.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物结构包括光敏酰亚胺、光致抗蚀剂、热固性材料或热塑性材料。8.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物结构具有3到50μm间的厚度。9.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物结构具有2到50μm间的宽度。10.根据权利要求1的半导体器件，其中聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·尼基廷，M·施内甘斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE