包括集成的反向偏置磁体的线性隧道磁阻传感器制造技术

技术编号:40908148 阅读:23 留言:0更新日期:2024-04-18 14:38
本公开涉及包括集成的反向偏置磁体的线性隧道磁阻传感器。一种传感器模块可以包括在第一方向上具有磁化的反向偏置磁体。传感器模块可以包括传感器芯片,该传感器芯片包括第一组隧道磁阻(TMR)感测元件。传感器芯片可以被配置为使用第一组TMR感测元件来确定第一磁场分量的特性,并且至少部分基于第一磁场分量的特性来生成传感器信号。传感器信号的值可以对应于铁磁性物体的线性位置。

【技术实现步骤摘要】


技术介绍

1、磁性线性位置传感器可以用于例如汽车应用或工业应用中物体的角位置和线性位置检测。通常,磁性线性位置传感器可以用于检测旋转或线性移动物体的位置。根据磁性线性位置传感器的设计,由磁性线性位置传感器提供的位置测量可以是绝对位置测量(例如,与物体的绝对位置相对应的输出)或增量位置测量(如,与物体移动的速度和方向相对应的输出)。


技术实现思路

1、在一些实现方式中,一种传感器模块包括在第一方向上具有磁化的反向偏置磁体;包括第一组隧道磁阻(tunnel magnetoresistiv,tmr)感测元件的传感器芯片,其中传感器芯片被配置为:使用第一组tmr感测元件来确定第一磁场分量的特性;以及至少部分基于第一磁场分量的特性来生成传感器信号,其中传感器信号的值对应于铁磁性物体的线性位置。

2、在一些实现方式中,一种方法包括由传感器芯片使用第一组tmr感测元件来确定第一磁场分量的特性;以及由传感器芯片至少部分基于第一磁场分量的特性来生成传感器信号,其中传感器信号的值对应于铁磁性物体的线性位置。

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【技术保护点】

1.一种传感器模块,包括:

2.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组TMR感测元件在所述第一方向上敏感。

3.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组TMR感测元件在与所述第一方向垂直的第二方向上敏感。

4.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组TMR感测元件包括提供对所述第一磁场分量的特性的差分感测的至少两个TMR感测元件。

5.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组TMR感测元件在所述第一方向上敏感,所述传感器芯片包括在与所述第一方向垂直的第二方向上敏感第二组TMR感测元件,并且所述传感器芯片还被配置为:...

【技术特征摘要】

1.一种传感器模块,包括:

2.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组tmr感测元件在所述第一方向上敏感。

3.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组tmr感测元件在与所述第一方向垂直的第二方向上敏感。

4.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组tmr感测元件包括提供对所述第一磁场分量的特性的差分感测的至少两个tmr感测元件。

5.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述第一组tmr感测元件在所述第一方向上敏感,所述传感器芯片包括在与所述第一方向垂直的第二方向上敏感第二组tmr感测元件,并且所述传感器芯片还被配置为:

6.根据权利要求5所述的传感器模块,其中所述第一组tmr感测元件包括提供对所述第一磁场分量的特性的差分感测的至少两个tmr感测元件,并且所述第二组tmr感测元件包括提供对所述第二磁场分量的特性的差分感测的至少两个tmr感测元件。

7.根据权利要求1所述的传感器模块,其中所述传感器芯片包括单单元传感器。

8.一种方法,包括:

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一组tmr感测元件在与反向偏置磁体的磁化方向平行的方向上敏感。

10.根据权利要求8所述的方法,其中所述第一组tmr感测元件在与反向偏置磁体的磁化方向垂直的方向上敏感。

11....

【专利技术属性】
技术研发人员:S·海恩兹M·波尔
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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