【技术实现步骤摘要】
本公开涉及压控磁阻传感器。
技术介绍
1、磁性隧道结(mtj)包括自由层和参考层，其中自由层和参考层由中间层分开以形成磁性隧道结。参考层的磁化方向是稳定的，使得磁化方向基本上是固定的，而自由层的磁化方向不是固定的，并且可以受外部磁场影响。自由层的磁化偏差导致通过磁性隧道结的电阻变化，这是可以被感测的特性，以便在磁场传感器的示例中检测和量化外部施加的磁场。这种现象被称为隧穿磁电阻(tmr)效应。
技术实现思路
1、在一些实现方式中，一种方法包括：由磁性传感器的电路部件跨隧道磁阻(tmr)感测元件的隧道障碍层施加电信号，该电信号具有：在第一时间段期间的第一信号电平，以及在第二时间段期间的第二信号电平，第二信号电平不同于第一信号电平；以及由磁性传感器的电路部件基于由跨tmr感测元件的隧道障碍层施加电信号而产生的传感器信号来生成经偏移校正的传感器信号。
2、在一些实现方式中，一种磁性传感器包括tmr感测元件和电路部件，该电路部件被配置为：跨tmr感测元件的隧道障碍层施加电信号，该电信号在第一组时间段期间具有第一信号电平，并且在第二组时间段期间具有第二信号电平，第二信号电平不同于第一信号电平；获得由跨隧道障碍层施加电信号而产生的传感器信号；以及基于由跨tmr感测元件的隧道障碍层施加电信号而产生的传感器信号来生成经偏移校正的传感器信号。
3、在一些实现方式中，一种传感器包括磁阻(mr)感测元件和一个或多个部件，该一个或多个部件被配置为：在第一时间段期间跨mr感测元件的隧
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1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述TMR感测元件以惠斯通电桥配置电连接到一个或多个其他TMR感测元件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电信号在多个顺序时间段之上在所述第一信号电平与所述第二信号电平之间交替。
4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述电信号处于所述第一信号电平时所述TMR感测元件的垂直磁各向异性PMA与当所述电信号处于所述第二信号电平时所述TMR感测元件的PMA相差至少约5％。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号电平在从约0.1伏特V到约1V的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二信号电平在从约-1伏特V到约-0.1V的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述经偏移校正的传感器信号是基于在所述第一时间段期间所述传感器信号的信号电平与在所述第二时间段期间所述传感器信号的信号电平之间的差而生成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述经偏移校正的传感器信号对应于在所述磁性传感器处的外部磁场强度。
9.根据权
10.一种磁性传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中所述TMR感测元件以惠斯通电桥配置电连接到一个或多个其他TMR感测元件。
12.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中所述电信号在多个时间段之上在所述第一信号电平与所述第二信号电平之间交替。
13.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中当所述电信号处于所述第一信号电平时所述TMR感测元件的灵敏度不同于当所述电信号处于所述第二信号电平时所述TMR感测元件的灵敏度。
14.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中所述第一信号电平是正电压电平。
15.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中所述第二信号电平是负电压电平。
16.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中用于生成所述经偏移校正的传感器信号的所述电路部件被配置为：基于在所述第一组时间段期间所述传感器信号的信号电平与在所述第二组时间段期间所述传感器信号的信号电平之间的差，生成所述经偏移校正的传感器信号。
17.一种传感器，包括：
18.根据权利要求17所述的传感器，其中所述MR感测元件以惠斯通电桥配置电连接到一个或多个其他MR感测元件。
19.根据权利要求17所述的传感器，其中当所述电信号处于所述第一信号电平时所述MR感测元件的灵敏度不同于当所述电信号处于所述第二信号电平时所述MR感测元件的灵敏度。
20.根据权利要求17所述的传感器，其中用于生成所述经偏移校正的传感器信号的所述一个或多个部件被配置为：基于在所述第一时间段期间所述传感器信号的信号电平与在所述第二时间段期间所述传感器信号的信号电平之间的差，生成所述经偏移校正的传感器信号。
...【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述tmr感测元件以惠斯通电桥配置电连接到一个或多个其他tmr感测元件。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电信号在多个顺序时间段之上在所述第一信号电平与所述第二信号电平之间交替。
4.根据权利要求1所述的方法，其中当所述电信号处于所述第一信号电平时所述tmr感测元件的垂直磁各向异性pma与当所述电信号处于所述第二信号电平时所述tmr感测元件的pma相差至少约5％。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一信号电平在从约0.1伏特v到约1v的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二信号电平在从约-1伏特v到约-0.1v的范围内。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述经偏移校正的传感器信号是基于在所述第一时间段期间所述传感器信号的信号电平与在所述第二时间段期间所述传感器信号的信号电平之间的差而生成的。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述经偏移校正的传感器信号对应于在所述磁性传感器处的外部磁场强度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述经偏移校正的传感器信号表示在所述磁性传感器处创建磁场的电流量。
10.一种磁性传感器，包括：
11.根据权利要求10所述的磁性传感器，其中所述tmr感测元件以惠斯通电桥配置电连接到一个或多个其他tmr感测元件。
12.根据权利要求10所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·安德烈斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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