【技术实现步骤摘要】
本公开涉及确定半导体衬底中的机械应力。实施例涉及半导体电路装置和用于半导体电路装置的方法。
技术介绍
1、半导体电路中的机械应力可能导致传感器元件的灵敏度变化。然而，用于测量机械应力的传统方法可能需要复杂的电路结构，或者该传统方法是不准确的。
技术实现思路
1、本公开的第一方面涉及半导体电路装置。半导体电路装置包括衬底、衬底的第一区域中的至少两个第一应力敏感元件和衬底的第二区域中的至少两个第二应力敏感元件。第一应力敏感元件分别具有依赖于第一区域中的机械应力张量的第一分量和第二分量的电特性。第二应力敏感元件分别具有依赖于第二区域中的机械应力张量的第一分量和第二分量的电特性。半导体电路装置还包括测量电路，该测量电路被构造成基于第一应力敏感元件和第二应力敏感元件的相应电特性确定第一区域中的第一分量和第二区域中的第一分量之间的第一应力差，并且确定第一区域中的第二分量和第二区域中的第二分量之间的第二应力差。
2、本公开的第二方面涉及半导体电路装置。半导体电路装置包括衬底、衬底的第一区域中...
【技术保护点】
1.一种半导体电路装置(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第一分量相应于一个面内法向应力、或多个面内法向应力的总和。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第二分量相应于剪应力或面外法向应力。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述测量电路(140)还被构造成基于所述第一应力差或所述第二应力差来确定所述第一区域(120)中的第一分量的值和/或第二分量的值。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)...
【技术特征摘要】
1.一种半导体电路装置(100)，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第一分量相应于一个面内法向应力、或多个面内法向应力的总和。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第二分量相应于剪应力或面外法向应力。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述测量电路(140)还被构造成基于所述第一应力差或所述第二应力差来确定所述第一区域(120)中的第一分量的值和/或第二分量的值。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，在所述第二区域(130)中的第二分量的值是可忽略的。
6.根据权利要求4或5所述的半导体电路装置(100)，还包括在所述第二区域(130)中的至少一个第三应力敏感元件(150)，其中所述第三应力敏感元件(150)具有依赖于所述第二区域(130)中的所述机械应力张量的第一分量的电特性，其中所述测量电路(140)还被构造成：
7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，还包括在所述第一区域(120)中的传感器元件(160)，其中所述测量电路(140)还被构造成基于所述第一应力差和所述第二应力差来确定所述传感器元件(160)的由所述第一区域(120)中的第一分量和所述第一区域(120)中的第二分量引起的灵敏度变化。
8.根据权利要求7所述的半导体电路装置(100)，其中，所述测量电路(140)被构造成基于以下至少一项来校正所述灵敏度变化：由所述传感器元件(160)的供电电流的操控、与所述传感器元件(160)耦联的放大器的操控、和由所述传感器元件(160)输出的数字化信号的适配。
9.根据权利要求7或8所述的半导体电路装置(100)，其中，所述传感器元件(160)是霍尔传感器元件。
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第一应力敏感元件(121、122)和所述第二应力敏感元件(131、132)分别包括以下至少一项：电阻、场效应晶体管、霍尔传感器元件、和双极晶体管。
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体电路装置(100)，其中，所述第一应力敏感元件(121、122)和所述第二应力敏感元件(131、132)分...
【专利技术属性】
技术研发人员：U·奥塞勒克纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。