【技术实现步骤摘要】
本公开涉及有机发光显示装置，并且更具体地，涉及使用氧化物半导体材料用于构成子像素的电路部分的多个薄膜晶体管的薄膜晶体管以及包括该薄膜晶体管的显示面板。
技术介绍
1、与液晶显示器不同，有机发光显示装置使用自发光的发光元件，而不是使用背光，因此由于其优异的薄膜特性和图像质量而成为显示领域的主流。
2、多个晶体管设置在发光显示装置的子像素中。晶体管可以包括驱动晶体管和多个开关晶体管。对于晶体管，氧化物半导体或多晶半导体可以用作有源层。驱动晶体管和开关晶体管具有不同的器件性能要求。例如，驱动晶体管和开关晶体管在所需的阈值电压、电流、截止电流和电荷迁移率方面彼此不同。
3、为了确保如上所述的每种类型的晶体管所需的不同器件性能，可以实现使用不同半导体层的所谓的混合型子像素。然而，形成不同半导体层所需的制造工序的数量正在增加，从而导致更高的制造成本和工序时间。
技术实现思路
1、本公开已经解决了现有技术中存在的上述问题，并且本公开的目的在于对子像素中包括的晶体管的类型进行统一，以制造具有氧化物半导体的晶体管。
2、另外，本公开的目的是确保驱动晶体管和开关晶体管所需的所有器件性能，即使晶体管被统一为具有氧化物半导体。
3、根据一个实施方式，一种显示面板包括：多个开关晶体管，该多个开关晶体管中的每个开关晶体管包括第一半导体图案和第一栅极，该第一半导体图案包括氧化物半导体并具有第一剂量(dose)；以及驱动晶体管，该驱动晶体管包括第二半导体图案和第二栅
4、第二剂量可以比所述第一剂量大。
5、第一半导体图案与第一栅极之间的第一距离可以和第二半导体图案与第二栅极之间的第二距离不同。
6、第一距离可以比第二距离大。
7、第一半导体图案和第二半导体图案可以形成在彼此相同的层中，第一栅极和第二栅极可以形成在彼此相同的层中。显示面板还可以包括：栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在第一半导体图案和第二半导体图案上。
8、栅极绝缘层在开关晶体管处的高度可以比栅极绝缘层在驱动晶体管处的高度高。
9、显示面板还可以包括：辅助层间绝缘层，该辅助层间绝缘层设置在第一半导体图案与第一栅极之间。
10、第一半导体图案的沟道区域和第一栅极可以具有彼此相同的宽度。
11、第二半导体图案的沟道区域和第二栅极可以具有彼此相同的宽度。
12、第一栅极和第二栅极可以具有彼此相同的宽度。
13、第一半导体图案的沟道区域和第二半导体图案的沟道区域可以具有彼此相同的宽度。
14、第一半导体图案与第一栅极之间的第一距离可以和第二半导体图案与第二栅极之间的第二距离相等。
15、第一半导体图案的沟道区域和第一栅极可以具有彼此相同的宽度，第二半导体图案的沟道区域和第二栅极可以具有彼此相同的宽度，第一栅极和第二栅极可以具有彼此相同的宽度，并且第一半导体图案的沟道区域和第二半导体图案的沟道区域可以具有彼此相同的宽度。
16、根据一个实施方式，一种显示面板包括：多个开关晶体管，该多个开关晶体管中的每个开关晶体管包括第一半导体图案和第一栅极，该第一半导体图案包括氧化物半导体并具有第一总剂量；以及驱动晶体管，该驱动晶体管包括第二半导体图案和第二栅极，该第二半导体图案包括氧化物半导体并具有与第一总剂量不同的第二总剂量。
17、第一栅极的宽度可以比第二栅极的宽度大。
18、第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大。
19、第一栅极的宽度可以与第二栅极的宽度相等，第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大，并且第二半导体图案的沟道区域的宽度可以与第二栅极的宽度相等。
20、第一栅极的宽度可以与第二栅极的宽度相等，第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大，并且第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第一栅极的宽度大。
21、根据一个实施方式，一种显示面板包括：多个开关晶体管，该多个开关晶体管中的每个开关晶体管包括第一半导体图案和第一栅极，该第一半导体图案包括氧化物半导体并具有第一剂量；以及驱动晶体管，该驱动晶体管包括第二半导体图案和第二栅极，该第二半导体图案包括氧化物半导体并具有与第一剂量不同的第二剂量。
22、第二剂量可以比第一剂量大。
23、第一半导体图案与第一栅极之间的第一距离可以和第二半导体图案与第二栅极之间的第二距离不同。
24、第一距离可以比第二距离大。
25、第一半导体图案和第二半导体图案可以形成在彼此相同的层中，第一栅极和第二栅极可以形成在彼此相同的层中。显示面板还可以包括：栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置在第一半导体图案和第二半导体图案上。
26、栅极绝缘层在开关晶体管处的高度可以比栅极绝缘层在驱动晶体管处的高度高。
27、显示面板还可以包括：辅助层间绝缘层，该辅助层间绝缘层设置在第一半导体图案与第一栅极之间。
28、第一半导体图案的沟道区域和第一栅极可以具有彼此相同的宽度。
29、第二半导体图案的沟道区域和第二栅极可以具有彼此相同的宽度。
30、第一栅极和第二栅极可以具有彼此相同的宽度。
31、根据一个实施方式，第一半导体图案的沟道区域和第二半导体图案的沟道区域可以具有彼此相同的宽度。
32、第一半导体图案与第一栅极之间的第一距离可以和第二半导体图案与第二栅极之间的第二距离相等。
33、第一半导体图案的沟道区域和第一栅极可以具有彼此相同的宽度，第二半导体图案的沟道区域和第二栅极可以具有彼此相同的宽度，第一栅极和第二栅极可以具有彼此相同的宽度，并且第一半导体图案的沟道区域和第二半导体图案的沟道区域可以具有彼此相同的宽度。
34、一种显示面板包括：多个开关晶体管，该多个开关晶体管中的每个开关晶体管包括第一半导体图案和第一栅极，该第一半导体图案包括氧化物半导体并具有第一总剂量；以及驱动晶体管，该驱动晶体管包括第二半导体图案和第二栅极，该第二半导体图案包括氧化物半导体并具有与第一总剂量不同的第二总剂量。
35、第一栅极的宽度可以比第二栅极的宽度大。
36、第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大。
37、第一栅极的宽度可以与第二栅极的宽度相等，第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大，并且第二半导体图案的沟道区域的宽度可以与第二栅极的宽度相等。
38、第一栅极的宽度可以与第二栅极的宽度相等，第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第二半导体图案的沟道区域的宽度大，并且第一半导体图案的沟道区域的宽度可以比第一栅极的宽度大。
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1.一种显示面板，所述显示面板包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二剂量比所述第一剂量大。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案与所述第一栅极之间的第一距离和所述第二半导体图案与所述第二栅极之间的第二距离不同。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一距离比所述第二距离大。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案形成在彼此相同的层中，所述第一栅极和所述第二栅极形成在彼此相同的层中，
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述栅极绝缘层在所述多个开关晶体管中的开关晶体管处的高度比所述栅极绝缘层在所述驱动晶体管处的高度高。
7.根据权利要求5所述的显示面板，所述显示面板还包括：
8.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案的沟道区域和所述第一栅极具有彼此相同的宽度。
9.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二半导体图案的沟道区域和所述第二栅极具有彼此相同的宽度。
10.
11.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案具有宽度彼此相同的沟道区域。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案与所述第一栅极之间的第一距离和所述第二半导体图案与所述第二栅极之间的第二距离相等。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案的沟道区域和所述第一栅极具有相同的宽度，
14.一种显示面板，所述显示面板包括：
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一栅极的宽度比所述第二栅极的宽度大。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案的沟道区域的宽度比所述第二半导体图案的沟道区域的宽度大。
17.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一栅极的宽度与所述第二栅极的宽度相等，
18.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述第一栅极的宽度与所述第二栅极的宽度相等，
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，所述显示面板包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二剂量比所述第一剂量大。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案与所述第一栅极之间的第一距离和所述第二半导体图案与所述第二栅极之间的第二距离不同。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一距离比所述第二距离大。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案形成在彼此相同的层中，所述第一栅极和所述第二栅极形成在彼此相同的层中，
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述栅极绝缘层在所述多个开关晶体管中的开关晶体管处的高度比所述栅极绝缘层在所述驱动晶体管处的高度高。
7.根据权利要求5所述的显示面板，所述显示面板还包括：
8.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第一半导体图案的沟道区域和所述第一栅极具有彼此相同的宽度。
9.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二半导体图案的沟道区域和所述第二栅极具有彼此相同的宽度。
【专利技术属性】
技术研发人员：郑美真，卢相淳，申东菜，崔善英，朴文镐，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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