【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电领域，具体涉及一种发光二极管结构。
技术介绍
1、发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。为提升发光二极管的发光效率，常在外延叠层的下方设置反射层，此时有源层向下发出的光经由反射层反射回去，增加出光效率。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种发光二极管，其有效提高了发光二极管的外部取光效率。
2、根据本专利技术的第一个方面发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一金属层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上；第二金属层，形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上；所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构，定义第一金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为r1，第二金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为r2，第一金属层和第二金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的复合反射率为r3，则r1<r2，且(r2-r3)/r2<4%。
3、在一些实施例中，所述发光外延叠层的发光波长为385~450nm，所述第一金属层和第二金属层的复合反射率为90%以上。
4、在一些实施例中，所述发光外延叠层的发光波长为365~450nm，所述第
5、根据本专利技术的第二个方面，一种紫外发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一导电层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上；第二导电层，形成于所述第一导电层之远离所述发光外延叠层的表面上；所述第一导电层和第二导电层构成镜面结构，所述第一导电层和第二导电层构成镜面结构，定义第一导电层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为r2，第二导电层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为r2，第一导电层和第二导电层对于所述发光外延叠层发射的光线的复合反射率为r3，则r1<r2，且(r2-r3)/r2<4%。
6、根据本专利技术的第三个方面，一种发光二极管，包括上部和下部，其中所述上部为半导体叠层，从上至下依次包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述下部依次包含绝缘材料层、粘合层和基板，所述下部具有一超出所述上部边缘的边缘部，所述边缘部从上至下至少包含第一绝缘层、金属材料层和第二绝缘层、粘合层和基板。
7、在一些实施例中，所述半导体叠层的下表面方依次设有该第一绝缘层、金属反射层、金属保护层和第二绝缘层。
8、优选地，所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。在另一些实施例中，所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料也可以不相同。
9、在一些实施例中，所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层之间电性隔离。
10、优选地，所述边缘部的金属材料层位于所述外边缘部的最外侧。
11、在一些实施例中，所述半导体叠层具有至少一个凹部，该凹部从该半导体叠层的下表面开始，穿过第二半导体层、有源层延伸到第一类型半导体层，所述第一绝缘层覆盖所述凹部的侧壁。
12、进一步的，所述发光二极管还包含第一导电连接层，其形成在所述第一绝缘层的表面上并填充所述凹部，与第一半导体层形成电性连接；第二导电连接层，其形成于该第一绝缘层和第二绝缘层之间，并与第二半导体层形成电性连接；所述第二导电连接层包含金属反射层和金属保护层。优选地，所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。
13、在一些实施例，所述第二导电连接层还包含导电粘附层，其位于所述金属反射层与所述第一绝缘层之间。
14、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种发光二极管，包括半导体叠层及位于所述半导体叠层下方的材料层，所述半导体叠层包含第一导体层、有源层和第二半导体层，所述下方的材料层具有一超出所述半导体叠层的边缘部，该边缘部包含有由绝缘材料构成的第一介电层、第二介电层，及夹设于所述第一介电层、第二介电层之间的金属材料层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层的下表面方依次设有该第一介电层、金属反射层、金属保护层和第二介电层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层之间电性隔离。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属材料层位于所述边缘部的最外侧。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层具有至少一个凹部，该凹部从该半导体叠层的下表面开始，穿过第二半导体层、有源层延伸到第一类型半导体层，所述第一介电层覆盖所述凹部的侧壁。
7.根据权利要求6所述的
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：还包括第二导电连接层，其形成于该第一介电层和第二介电层之间，并与第二半导体层形成电性连接。
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于：所述第二导电连接层包含金属反射层和金属保护层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括半导体叠层及位于所述半导体叠层下方的材料层，所述半导体叠层包含第一导体层、有源层和第二半导体层，所述下方的材料层具有一超出所述半导体叠层的边缘部，该边缘部包含有由绝缘材料构成的第一介电层、第二介电层，及夹设于所述第一介电层、第二介电层之间的金属材料层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层的下表面方依次设有该第一介电层、金属反射层、金属保护层和第二介电层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层之间电性隔离。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属材料层位于所述边缘部的最外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭贵田，朱立钦，蔡琳榕，杨力勋，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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