发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管。在一些实施例中，发光二极管包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一金属层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上；第二金属层，形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上；所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电领域，具体涉及一种发光二极管结构。

技术介绍

1、发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。为提升发光二极管的发光效率，常在外延叠层的下方设置反射层，此时有源层向下发出的光经由反射层反射回去，增加出光效率。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种发光二极管，其有效提高了发光二极管的外部取光效率。

2、根据本专利技术的第一个方面发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一金属层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的表面上；第二金属层，形成于所述第一金属层之远离所述发光外延叠层的表面上；所述第一金属层和第二金属层构成镜面结构，定义第一金属层对于所述发光外延叠层发射的光线的反射率为r1，第二金属层对于所述发光外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，包括半导体叠层及位于所述半导体叠层下方的材料层，所述半导体叠层包含第一导体层、有源层和第二半导体层，所述下方的材料层具有一超出所述半导体叠层的边缘部，该边缘部包含有由绝缘材料构成的第一介电层、第二介电层，及夹设于所述第一介电层、第二介电层之间的金属材料层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层的下表面方依次设有该第一介电层、金属反射层、金属保护层和第二介电层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，包括半导体叠层及位于所述半导体叠层下方的材料层，所述半导体叠层包含第一导体层、有源层和第二半导体层，所述下方的材料层具有一超出所述半导体叠层的边缘部，该边缘部包含有由绝缘材料构成的第一介电层、第二介电层，及夹设于所述第一介电层、第二介电层之间的金属材料层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体叠层的下表面方依次设有该第一介电层、金属反射层、金属保护层和第二介电层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层的材料相同。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述金属保护层与所述边缘部的金属材料层之间电性隔离。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述金属材料层位于所述边缘部的最外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭贵田，朱立钦，蔡琳榕，杨力勋，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：