本申请提供一种发光二极管芯片、发光二极管及发光装置。发光二极管芯片包括外延结构和设置于多个外延结构中的多个导电孔，以外延结构的几何中心点为中心点，多个导电孔分布于多个同中心点的相似图形的周向上，沿外延结构的几何中心点到其边缘的直线方向，...

本申请提供了一种LED芯片、LED芯片制作方法及发光装置，该LED芯片至少包括外延结构及电流扩展层，其中，外延结构具有出光面以及与所述出光面相对的背面，外延结构的出光面为具有微结构的粗化表面，微结构包括凹陷区，以及位于凹陷区之间的平坦区...

本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层包括依次叠置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，并具有暴露出所述第一半导体层的台面，第一电极位于台面上，电连接第一半导体层，第二电极...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种微型发光二极管及显示装置，微型发光二极管包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；微型发光二极管具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设置有向其出光面方向凸出的...

本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中，发光二极管包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，具有对应的第一表面和第二表面；透光层，形成于所述发光外延叠层的第二表面上；第一金属层，形成于所述透光层之远离所述发光外延叠...

本申请提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：具有相对的出光面和背面的半导体叠层，半导体叠层沿出光面到背面的方向包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；在背面一侧，半导体叠层具有暴露出第一半导体层的第一台面和与第一台面...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管，其包括半导体叠层以及位于半导体叠层之上的金属叠层，金属叠层沿自下向上的方向依次包括第一粘附层、金属耦合层、热传导层、第二粘附层，金属耦合层包括平坦层和阻挡层，金属耦合层靠近热传导...

本申请提供一种发光二极管、显示单元及显示装置，本申请的发光二极管至少包括一外延结构，所述外延结构包括依次叠置的第一半导体层、有源层、第二半导体层，其中所述第一半导体层远离所述有源层的一侧为所述发光二极管的出光一侧，所述发光二极管的最长边...

本申请提供了一种微发光组件，包括基板，其表面平行间隔设置有若干锚；芯片，设置在间隔的所述锚之间形成的空腔内，并通过设置在所述芯片两侧的连接桥与所述锚连接；沿两相邻所述锚平行延伸方向，所述连接桥在非对称位置与芯片连接。本申请微发光组件中的...

本申请公开了一种发光模组及显示装置，形成本申请的发光模组时，在发光元件以及填充层上方形成第一布线层，第一布线层作为生长导电焊盘的种子层。在第一布线层上方形成第一保护层。在第一保护层上方及第一开口的侧壁和底部的边缘部分形成第二布线层，由此...

本发明公开发光二极管，所述发光二极管包括：半导体外延叠层，至少包含依次叠置的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一台面，由所述半导体外延叠层凹陷露出的第一导电半导体层形成；第二台面，由所述第二导电半导体层形成；第一接触电极，位...

本发明公开了一种发光装置及其制作方法，该发光装置可以工作在3A/mm<supgt;2</supgt;以上的高电流密度下，包括支架，具有相反的第一表面和第二表面，所述第一表面上设有图案化的导电层；LED器件，形成于该封装支架的...

本申请提供一种LED封装器件及发光模组。LED封装器件通过将基板的第一表面的固晶部背离基板的表面设置成粗糙表面，粗糙表面通过设置多个导流部形成，导流部具有导流胶水流动方向和限制胶水流动范围的作用，防止胶水向第一表面除固晶部之外的其他区域...

本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，所述紫外发光二极管，包括：半导体层序列，包含依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，并具有从一个或者多个自第二半导体层延伸第一半导体层的台面，该台面裸露出第一半导体层，其中第一半导体层具有第...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括透明衬底，透明键合层和半导体外延叠层；所述透明键合层位于透明衬底和半导体外延叠层之间；所述半导体外延叠层包含第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述透明键合层为...

本发明公开红外发光二极管，所述红外发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括依次堆叠的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层的材料为...

本申请公开了一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电...

本申请提供一种发光二极管器件，包括基板、结构层和发光二极管台面，基板具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域和第二区域，第二区域围绕第一区域；结构层覆盖于第一区域和第二区域，结构层至少包括自第一表面依次堆叠的电极层、第二绝...

本申请提供一种外延结构、发光二极管及其制作方法，该外延结构具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向为第一方向，外延结构包括沿第一方向依次堆叠的P型半导体层、发光区及N型半导体层；P型半导体层包含第一欧姆接触层、第一窗口层和...