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本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括:发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的...该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括:发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠层的...