光刻机晶圆承载台平坦度监控方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻机晶圆承载台平坦度监控方法

【技术实现步骤摘要】
光刻机晶圆承载台平坦度监控方法、系统及可读存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种光刻机晶圆承载台平坦度监控方法
、
系统及可读存储介质
。

技术介绍

[0002]在晶圆大量生产制造过程中，光刻机承载台被引入的微小颗粒污染物影响，在承载台边缘会持续累积，造成边缘平坦度升高
。
随着工艺节点的推进，先进工艺对于光刻机承载台边缘的平坦度越发敏感
。wafertable(
晶圆承载台
)
平坦度
(ERO)
仅可通过
ASML(
阿斯麦
)
软件线下解析，一般工程师定期人为解析
(
一周两次
)
，缺乏时效性，无法实时反映产品真实情况，因此经常发生边缘平坦度偏高造成产品套刻精度超标
(OVL OOS)
的情况，亟需有效的监控及清洁方式
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种光刻机晶圆承载台平坦度监控方法
、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光刻机晶圆承载台平坦度监控方法，其特征在于，包括以下步骤：将晶圆置于所述晶圆承载台上，同步获取所述晶圆及所述晶圆承载台的至少一平坦度特征值；当一个或若干个所述平坦度特征值超出所需的预设规格时，向光刻机下发清洁所述晶圆承载台的指令
。2.
如权利要求1所述的光刻机晶圆承载台平坦度监控方法，其特征在于，同步获取所述晶圆及所述晶圆承载台的至少一平坦度特征值的步骤包括：在所述光刻机对所述晶圆进行曝光时生成底层文件，通过二阶拟合公式解析所述底层文件，获得所述晶圆及所述晶圆承载台的平坦度数据，所述平坦度数据包括位置坐标和对应的高度，再基于所述平坦度数据获取所述平坦度特征值
。3.
如权利要求2所述的光刻机晶圆承载台平坦度监控方法，其特征在于，基于所述平坦度数据获取获取所述平坦度特征值的步骤包括：将所述晶圆及所述晶圆承载台的平坦度数据导入数据处理模块，通过所述数据处理模块计算所述平坦度特征值，所述平坦度特征值为所述晶圆和
/
或所述晶圆承载台高度的最大值
、
最小值
、
平均值或标准差
。4.
如权利要求3所述的光刻机晶圆承载台平坦度监控方法，其特征在于，还将所述数据处理模块生成的所述平坦度特征值同步共享到机台失效分析系统，所述机台失效分析系统还基于所述平坦度特征值生成趋势表，并同步展示至显示模块
。5.
如权利要求1所述的光刻机晶圆承载台平坦度监控方法，其特征在于，当机台失效分析系统监...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓敏，黄俊，韩洋，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：