【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种自动检测晶背明场像异常的方法。
技术介绍
1、晶圆在制造过程中由于不同的原因会产生不同的缺陷分布图，其中一种是晶背缺陷图。明场像的晶背图像比暗场像图像更加洁净(purity)，同时更容易发现异常。平时工程师人为筛选异常图像效率较低，也极易遗漏部分肉眼很难辨别的隐藏异常，这就需要我们对图像做一定的预处理后用自动计算的方法筛选出异常图像，一方面提高工程师效率，另一方面不遗漏肉眼不可见的异常。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种自动检测晶背明场像异常的方法，用于解决现有技术中筛选异常图像效率低且容易出现遗漏的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种自动检测晶背明场像异常的方法，至少包括：
3、步骤一、通过直方图均衡化对晶背明场像进行处理，得到处理后的图像；
4、步骤二、对所述处理后的图像进行灰度直方图统计；
5、步骤三、计算每张所述图像的异常像素点的个数；
6、步骤四、提供阈值，将分值低于所述阈值的所述图像突出显示。
7、优选地，步骤一中所述处理后图像包括正常图像和异常图像。
8、优选地，步骤一中通过所述直方图均衡化对所述晶背明场像进行处理时间，直方图的横轴表示为像素强度，纵轴表示为像素总强度比值。
9、优选地，步骤一中所述直方图中像素强度为横轴的分布范围越大，表示晶背图像越异常。
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11、优选地，步骤三中利用所述异常像素点的个数对所述正常图像和异常图像进行区分。
12、优选地，步骤三中还计算每张所述图像的异常像素点的占比。
13、优选地，步骤三中计算所述图像的异常像素点的占比后，按异常像素点在所选像素范围内的分布将正常图像和异常图像进行区分。
14、优选地，步骤三中的所述所选像素范围为0-100。
15、优选地，步骤四中突出显示出的图像为肉眼不可见的异常图像。
16、如上所述，本专利技术的自动检测晶背明场像异常的方法，具有以下有益效果：本专利技术通过图像预处理和特定的计算方法对晶背明场像进行分析，可快速自动检测出异常晶背图像。
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1.一种自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中所述处理后图像包括正常图像和异常图像。
3.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中通过所述直方图均衡化对所述晶背明场像进行处理时间，直方图的横轴表示为像素强度，纵轴表示为像素总强度比值。
4.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中所述直方图中像素强度为横轴的分布范围越大，表示晶背图像越异常。
5.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤二中对所述处理后的图像进行灰度直方图统计时，所述灰度直方图的横轴表示为像素，纵轴表示为灰度值，进行灰度直方图统计反应的是将所述图像中的所有像素，按灰度值的大小统计其出现的频率。
6.根据权利要求2所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤三中利用所述异常像素点的个数对所述正常图像和异常图像进行区分。
7.根据权利要求2所述的自动检测晶背明场像异常
8.根据权利要求7所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤三中计算所述图像的异常像素点的占比后，按异常像素点在所选像素范围内的分布将正常图像和异常图像进行区分。
9.根据权利要求8所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤三中的所述所选像素范围为0-100。
10.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤四中突出显示出的图像为肉眼不可见的异常图像。
...【技术特征摘要】
1.一种自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中所述处理后图像包括正常图像和异常图像。
3.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中通过所述直方图均衡化对所述晶背明场像进行处理时间，直方图的横轴表示为像素强度，纵轴表示为像素总强度比值。
4.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤一中所述直方图中像素强度为横轴的分布范围越大，表示晶背图像越异常。
5.根据权利要求1所述的自动检测晶背明场像异常的方法，其特征在于：步骤二中对所述处理后的图像进行灰度直方图统计时，所述灰度直方图的横轴表示为像素，纵轴表示为灰度值，进行灰度直方图统计反应的是将所述图像中的所...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄均珺，陈旭，王艳生，魏峥颖，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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