研磨保护装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本技术提供了一种研磨保护装置及半导体工艺设备，所述研磨保护装置包括：保护罩，包括第一固定环和第二固定环，所述第一固定环设置于所述第二固定环的一端，且所述第一固定环向所述第二固定环的中心轴方向延伸，所述第一固定环的内径小于所述第二固定环的内径；至少两个可伸缩支撑杆，所有所述可伸缩支撑杆间隔地固定于所述保护罩上；第一清洗单元，包括多个第一喷嘴，所有的所述第一喷嘴间隔地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上，且所述第一喷嘴的出口朝向所述第二固定环的内侧壁。本技术的技术方案能够及时地清洗保护罩的内壁，减少晶圆研磨过程中的缺陷，提高晶圆研磨的良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，特别涉及一种研磨保护装置及半导体工艺设备。

技术介绍

1、随着半导体制造技术日新月异，cmp(化学机械研磨)成为硅片制造中实现多金属层和互连线的关键技术。在晶圆进行研磨的过程中，通常将晶圆放置在研磨台上的研磨垫上，且为了防止晶圆在进行研磨的过程中发生偏移飞出研磨台，会在研磨台的外围环绕设置保护罩，从而提高晶圆研磨的效率。

2、然而，在晶圆进行研磨的过程中，保护罩的内壁上不可避免地残留了一些研磨液以及研磨副产物，这些杂质在积累到一定程度后，有几率会掉落到研磨台上的研磨垫上，甚至是晶圆上，从而导致晶圆表面产生缺陷，影响晶圆的良率。

3、目前主要通过定期拆卸保护罩，并清洗保护罩的内壁，从而避免晶圆表面产生缺陷，然而，这种方式存在滞后性，无法及时处理保护罩的内壁，无法保证保护罩内壁的清洁，从而影响晶圆的良率。

4、因此，如何及时地清洗保护罩的内壁，减少晶圆研磨过程中的缺陷，提高晶圆研磨的良率是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种研磨保护装置及半导体工艺设备，能够及时地清洗保护罩的内壁，减少晶圆研磨过程中的缺陷，提高晶圆研磨的良率。

2、为解决上述技术问题，本技术提供一种研磨保护装置，包括：保护罩，包括第一固定环和第二固定环，所述第一固定环设置于所述第二固定环的一端，且所述第一固定环向所述第二固定环的中心轴方向延伸，所述第一固定环的内径小于所述第二固定环的内径；

3、至少两个可伸缩支撑杆，所有所述可伸缩支撑杆间隔地固定于所述保护罩上；

4、第一清洗单元，包括多个第一喷嘴，所有的所述第一喷嘴间隔地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上，且所述第一喷嘴的出口朝向所述第二固定环的内侧壁。

5、优选地，所述第一清洗单元还包括一条第一主管路和多条分支管路，所述分支管路的一端与所述第一主管路连通，所述分支管路的另一端与对应的所述第一喷嘴连通，所述分支管路设置于所述保护罩的内壁上。

6、优选地，各个所述第一喷嘴均匀地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上。

7、优选地，所述第一主管路上设置有压力阀件。

8、优选地，所述研磨保护装置还包括供水单元，所述供水单元与所述第一主管路连通。

9、本技术还提供一种半导体工艺设备，包括：研磨台、研磨垫以及所述的研磨保护装置，所述研磨垫设置于所述研磨台上，所述研磨保护装置环绕设置于所述研磨台的外围。

10、优选地，所述半导体工艺设备还包括机台基座，所述研磨台和所有所述可伸缩支撑杆设置于所述机台基座上，且所述可伸缩支撑杆环绕设置于所述研磨台的外围。

11、优选地，所述半导体工艺设备还包括至少一个第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述可伸缩支撑杆上。

12、优选地，所述第二清洗单元包括承载台、多个第二喷嘴和至少一条第二主管路，所述第二喷嘴和所述第二主管路设置于所述承载台上，所述第二主管路与所述第二喷嘴连通。

13、优选地，所述第二清洗单元还包括固定部件，所述承载台通过所述固定部件固定于所述可伸缩支撑杆上。

14、与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下有益效果：

15、1、本技术的研磨保护装置，包括：保护罩，包括第一固定环和第二固定环，所述第一固定环设置于所述第二固定环的一端，且所述第一固定环向所述第二固定环的中心轴方向延伸，所述第一固定环的内径小于所述第二固定环的内径；至少两个可伸缩支撑杆，所有所述可伸缩支撑杆间隔地固定于所述保护罩上；第一清洗单元，包括多个第一喷嘴，所有的所述第一喷嘴间隔地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上，且所述第一喷嘴的出口朝向所述第二固定环的内侧壁，能够及时地清洗保护罩的内壁，减少晶圆研磨过程中的缺陷，提高晶圆研磨的良率。

16、2、本技术的半导体工艺设备，包括：研磨台、研磨垫以及所述的研磨保护装置，所述研磨垫设置于所述研磨台上，所述研磨保护装置环绕设置于所述研磨台的外围，能够及时地清洗保护罩的内壁，减少晶圆研磨过程中的缺陷，提高晶圆研磨的良率。

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【技术保护点】

1.一种研磨保护装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的研磨保护装置，其特征在于，所述第一清洗单元还包括一条第一主管路和多条分支管路，所述分支管路的一端与所述第一主管路连通，所述分支管路的另一端与对应的所述第一喷嘴连通，所述分支管路设置于所述保护罩的内壁上。

3.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，各个所述第一喷嘴均匀地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上。

4.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，所述第一主管路上设置有压力阀件。

5.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，所述研磨保护装置还包括供水单元，所述供水单元与所述第一主管路连通。

6.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：研磨台、研磨垫以及如权利要求1～5中任一项所述的研磨保护装置，所述研磨垫设置于所述研磨台上，所述研磨保护装置环绕设置于所述研磨台的外围。

7.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括机台基座，所述研磨台和所有所述可伸缩支撑杆设置于所述机台基座上，且所述可伸缩支撑杆环绕设置于所述研磨台的外围。

8.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括至少一个第二清洗单元，所述第二清洗单元设置于所述可伸缩支撑杆上。

9.如权利要求8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二清洗单元包括承载台、多个第二喷嘴和至少一条第二主管路，所述第二喷嘴和所述第二主管路设置于所述承载台上，所述第二主管路与所述第二喷嘴连通。

10.如权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二清洗单元还包括固定部件，所述承载台通过所述固定部件固定于所述可伸缩支撑杆上。

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【技术特征摘要】

1.一种研磨保护装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的研磨保护装置，其特征在于，所述第一清洗单元还包括一条第一主管路和多条分支管路，所述分支管路的一端与所述第一主管路连通，所述分支管路的另一端与对应的所述第一喷嘴连通，所述分支管路设置于所述保护罩的内壁上。

3.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，各个所述第一喷嘴均匀地设置于所述第一固定环靠近所述第二固定环的一端上。

4.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，所述第一主管路上设置有压力阀件。

5.如权利要求2所述的研磨保护装置，其特征在于，所述研磨保护装置还包括供水单元，所述供水单元与所述第一主管路连通。

6.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：研磨台、研磨垫以及如权利要求1～5中任一项所述的研磨保护装置，所述研磨垫设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪坚俊，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：