集成电路及其制造方法技术

本发明专利技术涉及用于嵌入式闪存存储器件的集成电路(IC)。在一些实施例中，IC包括设置在半导体衬底上方的存储阵列区和围绕存储阵列区的边界区。包括多个离散部分的硬掩模设置在存储阵列区处。硬掩模设置在存储阵列区的控制介电层下方。本发明专利技术还涉及一种改进用于非易失性存储器件的浮置栅极均匀性的方法。

【技术实现步骤摘要】
201510496420

【技术保护点】
一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，由存储阵列区和围绕所述存储阵列区的边界区构成；多个浅沟槽隔离(STI)区，设置在所述存储阵列区内，其中，所述STI区的上STI表面比所述半导体衬底的平坦的上表面高以便限定相邻的所述STI区的上部之间的凹槽；多个浮置栅极，填充所述存储阵列区内的相邻的所述STI区之间的所述凹槽；硬掩模，设置在多个所述STI区的第一STI区上；控制栅极层，设置在所述浮置栅极的上表面上方并且向上步进以在所述第一STI区上方的所述硬掩模的边缘上方延伸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，黄进义，高雅真，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71