本技术提供了一种流体泄露检测装置及半导体工艺设备，所述流体泄露检测装置用于检测相邻两条管路连接处的法兰扣合处是否发生流体泄露，所述流体泄露检测装置包括卡环本体和传感器，所述卡环本体的内壁设置有导流槽；在所述卡环本体安装在所述相邻两条管路...

本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：存储阵列结构，包括多个存储串、多个局部位线和多个全局位线；以及，位于所述存储阵列结构上的外围结构，包括多个局部位线选择模块和至少一个全局位线选择模块；其中，每个局部位线与至少一个存储串对应...

本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，所述背照式图像传感器包括衬底、刻蚀停止层和金属材料层和焊垫，衬底中形成有导电组件、导电柱和凹槽，导电柱填充在从凹槽底面穿通至导电组件的顶面的穿通孔中，并电性连接导电组件，刻蚀停止层和金属材料...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽从第一衬底第一表面延伸至第一衬底内，第二沟槽至少部分从第一沟槽底面延伸至第一衬底内；随形覆盖绝缘介质层于第一沟槽和第二沟槽的表面；去除第一...

本发明提供了一种贴膜设备及膜量监控方法，所述贴膜设备包括：贴覆装置，所述贴覆装置用于承载胶带并将所述胶带输送至待粘贴器件上；以及，至少两个膜量监控装置，所述至少两个膜量监控装置均用于监测所述胶带的剩余膜量，所述至少两个膜量监控装置包括第...

本申请提供一种半导体器件的沟槽制备方法及半导体器件。该半导体器件的沟槽制备方法沿从衬底的表面至衬底内部的方向上，在衬底中开设沟槽；在沟槽内形成牺牲介质；在衬底的表面和牺牲介质的表面上形成第一介质层；在第一介质层中开设第一通孔，其中，第一...

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底、栅氧层和栅极层；浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构所包围的所述衬底为有源区，所述栅氧层和所述栅极层自下向上形成于部分所述有源区上，所述有源区的面积与所述栅极层的面积...

本发明提供了一种半导体测试结构及半导体测试方法，所述半导体测试结构包括：测试结构，包括待测结构和第一焊盘，所述待测结构形成于待测半导体结构中，所述第一焊盘形成于所述待测半导体结构中，所述第一焊盘与所述待测结构电连接；第二焊盘，形成于所述...

本发明提供了一种存储器的控制方法，包括执行读取命令，读取数据之后获取存储器可用于输出的空闲端口及ECC状态信息，然后利用空闲端口输出ECC状态信息。本发明可以利用存储器的空闲端口输出ECC状态信息，无需设置一个独立的输出端口输出ECC状...

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括测试结构，测试结构包括衬底、位于所述衬底表面一侧的介质层、至少形成于所述衬底中的第一通孔、以及形成于所述介质层中的导电层，所述第一通孔周围的衬底和所述导电层分别作为电容结构...

本申请提供一种半导体器件及其操作方法以及存储系统，所述半导体器件包括用以产生振荡时钟信号的振荡器电路；用以根据所述振荡时钟信号产生输出电压的电荷泵；用以检测所述输出电压而产生振荡通行信号的电荷泵反馈电路；以及，用以根据所述振荡通行信号，...

本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基材，包括衬底和多个栅极结构，多个栅极结构的一部分位于存储区域，每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极；存储区域包括源引出区域；在半导体基材上覆盖第...

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；浅沟槽隔离结构，形成于所述半导体层中，所述浅沟槽隔离结构所包围的半导体层为有源区；体区，形成于所述有源区中；深阱，形成于...

本申请提供一种半导体组件、半导体器件及布线模块。该半导体组件包括：半导体元件，具有多个引脚；布线模块，贴附在所述半导体元件上，用于实现与所述多个引脚中的至少一个引脚电连接，并将所述至少一个引脚引至预设位置。该半导体组件在进行不同的封装打...

本发明提供一种键合装置及键合方法，键合装置包括：光阑平面设置有波前编码元件的上视镜头和下视镜头，以获取第一待键合体的第一编码图像和标定片的第三编码图像以及获取第二待键合体的第二编码图像和标定片的第四编码图像；图像处理单元，用于将第一编码...

本发明公开了一种存储器件的制造方法及存储器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材包括衬底和多个栅极结构，多个栅极结构的一部分位于存储区域，每个栅极结构在第一方向上的两侧的衬底中分别设置源极和漏极；在半导体基材上覆盖第一层间介质层，...

本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，通过将信号网络层(Signal Network Layer)形成于第一基底、将电力输送网络层(Power Delivery Network，PDN)形成于第二基底，在不同基底上分...

本技术提供了一种气体加热装置及物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备包括腔室、管路及气体加热装置，所述管路与所述腔室连通，所述气体加热装置用于对所述管路中的气体间断加热，以使得所述管路向所述腔室中通入冷热交替的气体。本技术的技术方案能够...

本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成第一隔离结构；在所述半导体衬底中形成器件结构；形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触...

本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，信号网络层自基底的第一表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供信号；电力输送网络层自基底的第二表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供电源，可以从所述器件结构的两侧以...