【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种气体加热装置及物理气相沉积设备。
技术介绍
1、物理气相沉积工艺对腔室的真空度要求很高，以满足制程需求。在对腔室开腔保养之后需要执行复机作业，复机作业包含对腔室进行循环清洗和烘烤，以去除腔室内的水汽和其他杂质气体，否则腔室无法达到所需的真空度。
2、但是，对腔室进行循环清洗和烘烤作业耗时比较长，至少需要6.5h，且烘烤作业时间很长还可能会导致冷凝泵的冷头升温过高而报警，进而导致还需要额外增加2.5h执行冷凝泵的再生处理，之后再继续烘烤腔室。那么，上述问题导致腔室保养后的复机时间过长，进而导致物理气相沉积设备的利用率低。
3、因此，如何减少腔室保养后的复机时间，以提高物理气相沉积设备的利用率成为亟须解决的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种气体加热装置及物理气相沉积设备，能够明显减少腔室保养后的复机时间，进而提高物理气相沉积设备的利用率。
2、为实现上述目的，本技术提供了一种物理气相沉积设备，包括腔室、管路及气体...
【技术保护点】
1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括腔室、管路及气体加热装置，所述管路与所述腔室连通，所述气体加热装置用于对所述管路中的气体间断加热，以使得所述管路向所述腔室中通入冷热交替的气体。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述气体加热装置包括电源、加热元件和自锁开关，所述电源和所述自锁开关设置于所述管路外，所述加热元件设置于所述管路上，所述自锁开关与所述电源和所述加热元件连接，以通过所述自锁开关的通断控制所述电源与所述加热元件之间的连接和断开。
3.如权利要求2所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述气体加热装置还包括三通和气...
【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，包括腔室、管路及气体加热装置，所述管路与所述腔室连通，所述气体加热装置用于对所述管路中的气体间断加热，以使得所述管路向所述腔室中通入冷热交替的气体。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述气体加热装置包括电源、加热元件和自锁开关，所述电源和所述自锁开关设置于所述管路外，所述加热元件设置于所述管路上，所述自锁开关与所述电源和所述加热元件连接，以通过所述自锁开关的通断控制所述电源与所述加热元件之间的连接和断开。
3.如权利要求2所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述气体加热装置还包括三通和气动阀，所述三通设置于所述管路外，所述气动阀设置于所述管路上，压缩气体通过所述三通分别流向所述自锁开关和所述气动阀，以通过所述压缩气体的通断控制所述自锁开关和所述气动阀的通断。
4.如权利要求3所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述气体加热装置还包括压缩气体源，所述压缩气体源提供所述压缩气体。
5.如权利要求3所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述压缩气体流入所述自锁开关和所述气动阀时，所述气动阀打开；所述压缩气体未流入所述自锁开关和所述气动阀时，所述气动阀关断。
6.如权利要求3所述的物理气相沉积设备，其特征在于，所述压缩气体循环n次流入...
【专利技术属性】
技术研发人员：李江风，王力，龙俊舟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：
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