具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，通过将信号网络层(Signal Network Layer)形成于第一基底、将电力输送网络层(Power Delivery Network，PDN)形成于第二基底，在不同基底上分开形成信号网络层与电力输送网络层，并通过第一引出结构和第二引出结构键合实现电力输送网络层提供电力、信号网络层提供信号，相对于现有技术，不需要在第一基底上形成纳米硅通孔(nTSV)将埋入式电源轨与电力输送网络层电连接，从而提高了具有埋入式电源轨的半导体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法。

技术介绍

1、为了满足持续不断的芯片微缩的需要，在金属间距非常紧密时，为了优化电源供电能力，目前一种方法是将电源轨向下移动到衬底中形成埋入式电源轨(buried powerrails，bpr)。埋入式电源轨结构中，将电源轨埋入衬底中，从而有利于释放互连的布线资源。

2、现有技术中，在晶圆表面生长锗硅作为刻蚀停止层，再生长薄膜硅覆盖层，在薄膜硅覆盖层中制作埋入式电源轨和finfet等，并利用纳米硅通孔(ntsv)将埋入式电源轨与电力输送网络(power delivery network，pdn)电连接。由此形成的具有埋入式电源轨的半导体结构存在良率不高的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，以解决现有的具有埋入式电源轨的半导体结构存在良率不高的问题。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，所述具有埋入式电源轨本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法包括：

2.如权利要求1所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

5.如权利要求2所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

6.如权利要求3所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第二表面一侧形成与所述埋入式电源轨电连接...

【技术特征摘要】

1.一种具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法包括：

2.如权利要求1所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

3.如权利要求2所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

5.如权利要求2所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

6.如权利要求3所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述第二表面一侧形成与所述埋入式电源轨电连接的第一引出结构包括：

7.如权利要求2～6中任一项所述的具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：叶子露，胡胜，盛备备，朱鹏，刘超，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：