TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法技术

本发明专利技术公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，该方法包括：在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备传感器；沉积互联金属将传感器引出端与预留的与之互连的端口位置的金属再布线层互联。本发明专利技术利用半导体前道工艺在TSV转接板预设位置将温度、应变传感器内嵌集成，该集成TSV转接板结构除了提供电互联通道外，还具有测量温度、应变物理量的功能，使得基于该TSV转接板结构的集成封装结构在工作及外界环境载荷下可以直接测量其内部的温度、应变参数，为其可靠性评估优化提供有力的数据支撑和数据支撑。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法。

技术介绍

1、随着集成电路技术飞速发展，对小型化和高可靠性的集成封装的需求越来越高。利用先进硅基集成封装技术实现芯片集成小型化是必然趋势。tsv(through silicon via)转接板技术通过在硅基板上制作出许多垂直互联通孔以及后续重布线来实现不同芯片之间的电互联，具有线宽线距小、互联密度高、集成度高等特点，可以有效降低集成封装尺寸。目前已成为最具竞争力的高密度集成封装技术之一。但随着基于tsv转接板集成封装结构的集成度不断提高，可靠性问题也凸显出来。首先是功耗密度逐渐随着集成度增加，这将导致tsv转接板上出现高温区域，进而造成集成在上面的芯片的性能下降。另外在经历外界高温、机械冲击、振动等环境载荷时，集成结构内部应力状态更为复杂，可能导致内部的微结构产生失效。针对以上情况，需要获取tsv转接板上关键区域的温度、应力参数，对封装结构进行健康状态监控。

2、由于基于tsv转接板的集成封装结构尺寸小，传统的温度及应变测量方法中接触式传感器尺寸太大，难以集本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：

2.根据权利要求1所述的TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，制备完成的TSV转接板包括硅基板；

3.根据权利要求2所述的TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述硅基板正面由内至外依次有第一介质层、金属再布线层和第二介质层；

4.根据权利要求3所述的TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述第一介质层采用无机材料；所述第二介质层采用光敏有机材料；所述金属再布线层采用铜或金。

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【技术特征摘要】

1.tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述集成方法包括：

2.根据权利要求1所述的tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，制备完成的tsv转接板包括硅基板；

3.根据权利要求2所述的tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述硅基板正面由内至外依次有第一介质层、金属再布线层和第二介质层；

4.根据权利要求3所述的tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述第一介质层采用无机材料；所述第二介质层采用光敏有机材料；所述金属再布线层采用铜或金。

5.根据权利要求3所述的tsv转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，其特征在于，所述集成方法通过涂覆、曝光、显影工艺即可形成所述第二介质层开口。

6.根据权利要求1-5任...

【专利技术属性】
技术研发人员：安宁，曹林炜，王月兴，孙翔宇，周泉丰，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：