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本发明涉及一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法，包括：在衬底待生成浮栅区生成隔离；在衬底上沉积生成多晶硅层；多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；对待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变待生成浮栅区多晶硅层的...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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